晶片干燥技术在高洁净湿法清洗设备中的应用
干燥的目的是去除晶片表面的液体，保证晶片的洁净度。 干燥技术作为湿法清洗最后的步骤，最终决定了晶片清洗的表面质量。 分别探讨了离心甩干干燥单元、IR 干燥、Marangoni 干燥等技术，同时介绍了各自的优缺点，这些技术在高洁净湿法批处理清洗设备中都有非常广泛
湿法
复合材料成型技术探索：HP-RTM与湿法模压成型工艺
复合材料是由两种或多种具有不同物理和化学性质的材料，通过特定的工艺方法组合而成的一种多相固体材料。这些材料在复合过程中，各组分保持相对独立性，但又通过界面产生相互作用，共同承担载荷，从而发挥出单一材料所不具备的综合性能。本文将深入探讨复合材料成型技术中的两种重
科学家打造干式剥离光刻技术，聚焦湿法光刻技术环境污染工艺难题
该范式具有 100% 的工艺良率，兼容多尺度结构（纳米至晶圆级）及多工艺场景，还可用于难加工衬底表面的图形转移，为绿色光刻和多功能化微纳加工提供了全新解决方案。
半导体湿法和干法刻蚀
刻蚀是指通过物理或化学方法对材料进行选择性的去除，从而实现设计的结构图形的一种技术。蚀刻是半导体制造及微纳加工工艺中相当重要的步骤，自 1948 年发明晶体管到现在，在微电子学和半导体领域中，蚀刻技术的发展伴随着整个集成电路技术和化合物半导体技术的进步。在器件
干货 | 匀浆工艺：干法一定比湿法好？
在锂离子电池制造过程中，匀浆工序作为前段第一个步骤极其重要，其在锂离子电池的整个生产工艺中对产品的品质影响度是最重要的环节。不管匀浆何种工艺，最终正负极浆料基本上都是由正负极活性物质、粘结剂、导电剂、溶剂和其他微量添加剂组成。
碳化硅衬底的湿法氧化
半导体碳化硅(4H-SiC)材料具有硬度高、脆性大、化学性质稳定等特点，一般使用化学机械抛 光工艺来加工 SiC 以获得超光滑平坦表面。湿法氧化作为单晶 SiC 化学机械抛光的重要过程，直接影 响着 CMP 的速率和表面质量。本文综述了目前单晶 SiC 湿法氧