郝跃院士 张进成教授团队揭示(110)晶面单晶金刚石扩大生长机理
金刚石作为超宽禁带半导体的典型代表,因其超宽禁带、高击穿场强、高载流子迁移率及出色的热导率等特性,成为高频、大功率、高温及抗辐射器件的理想材料。其中,(110)单晶金刚石在氢终端以及n型掺杂的电子器件应用中展现出独特优势,但基于(110)单晶金刚石衬底的同质外
金刚石作为超宽禁带半导体的典型代表,因其超宽禁带、高击穿场强、高载流子迁移率及出色的热导率等特性,成为高频、大功率、高温及抗辐射器件的理想材料。其中,(110)单晶金刚石在氢终端以及n型掺杂的电子器件应用中展现出独特优势,但基于(110)单晶金刚石衬底的同质外
水系电池因其安全性和成本优势而备受关注。与锂离子电池等其他电池体系相比,水系电池利用廉价且不可燃的水基电解质,具有独特的优势。然而,金属负极在水系电池中的可逆性一直是一个普遍挑战,尤其是在酸性环境中,金属容易形成不规则的枝晶,进一步加剧了电解质和电极活性材料的