PbTiO₃/LaAlO₃体系中首次发现常规180°铁电畴壁与反相畴界
铁电畴壁随机存储器为解决硅基存储技术遇到的“存储墙”问题提供了切实可行的方案。 相较于其他二维界面，例如晶界、相界等，铁电畴壁可以被特定的电场创建、移动以及擦除，意味着基于铁电畴壁的存储器件将更加灵活可控。然而，常规铁电畴壁作为高能界面，会出现非预期的漂移甚至
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PbTiO₃/LaAlO₃体系首次发现常规180°铁电与反相畴界互耦现象
铁电畴壁随机存储器为解决硅基存储技术遇到的“存储墙”问题提供了切实可行的方案。相较于其他二维界面，例如晶界、相界等，铁电畴壁可以被特定的电场创建、移动以及擦除，意味着基于铁电畴壁的存储器件将更加灵活可控。然而，常规铁电畴壁作为高能界面，会出现非预期的漂移甚至湮
上海励驰半导体申请基于APB的外设访问相关专利，节省功耗
国家知识产权局信息显示，上海励驰半导体有限公司申请一项名为“基于APB的外设访问系统、访问方法、存储介质及芯片”的专利，公开号CN120045485A，申请日期为2025年02月。