长江存储申请用于三维NAND存储器中的字线触点的阻挡层及其制造方法专利，提供一种用于形成三维存储器器件的方法 国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“用于三维NAND存储器中的字线触点的阻挡层及其制造方法”的专利，公开号CN120050935A，申请日期为2021年12月。 nand 存储器 字线 存储器器件 字线触点 2025-05-27 11:50 4
