交大学院：史上首篇独立Nature！
6月18日，西安交通大学研发的复杂合金创造屈服强度与拉伸塑性组合的新纪录，该研究成果以“Machine-learning design of ductile FeNiCoAlTa alloys with high strength”（“机器学习设计具有高强度塑
位错
中科无线半导体申请蓝宝石氮化镓异质材料外延结构及其外延生长方法专利，显著减少位错密度
国家知识产权局信息显示，中科（深圳）无线半导体有限公司申请一项名为“一种蓝宝石氮化镓异质材料外延结构及其外延生长方法”的专利，公开号CN120129272A，申请日期为2025年05月。
氨热法 GaN 单晶生长的位错密度演变研究
氮化镓单晶具有高击穿电压、直接带隙、高饱和电子漂移速率、良好的化学稳定性等特性,在光电子器件和大功率电子器件中有广泛的应用。 然而异质外延氮化镓会产生高位错密度,限制了氮化镓基器件的性能发挥。 本研究以HVPE-GaN 为籽晶,采用氨热法生长了氮化镓单晶,利用