CSPSD2025｜众专家学者共话硅、碳化硅器件及其他高压功率器件进展
从硅到宽禁带半导体材料，不断提升性能和应用范围，推动半导体行业的不断进步。技术创新驱动性能迭代，国产碳化硅器件的市场应用也已从单一领域向多行业扩展，碳化硅产业链正加速国产化替代进程，展现出强劲的发展潜力和市场竞争力。随着材料科学和制造工艺的持续进步，功率半导体
cspsd2025
近30位专家齐聚CSPSD2025，探讨氮化镓及超宽禁带功率器件新未来
氮化镓作为第三代半导体的核心材料之一，凭借大禁带宽度、高电子迁移率和良好热导率等诸多优异特性，在功率器件领域正展现出前所未有的巨大应用潜力。特别是在新能源汽车和AI数据中心等前沿领域，氮化镓技术已成为实现电能高效转换的关键突破口。与此同时，超宽禁带功率器件作为