国产碳化硅MOSFET行业洗牌：SiC碳化硅MOSFET设计公司的批量淘汰
国产SiC碳化硅MOSFET设计公司的批量淘汰，与其视为行业危机，不如理解为市场机制的自我净化——当参数虚标、低质低价等乱象被清除，真正具备创新能力的企业将获得更大发展空间。
碳化硅mosfet
国产SiC碳化硅MOSFET功率半导体产业可复制的战略框架与方向指引
国产碳化硅（SiC）功率半导体企业冲刺“中国碳化硅芯片第一股”，不仅标志着企业自身发展进入新阶段，更为国产SiC MOSFET功率半导体行业提供了可复制的战略框架与方向指引。其发展模式揭示了国产碳化硅（SiC）功率半导体企业在技术攻坚、产业链整合及资本路径上的
碳化硅MOSFET全桥模块在出口型高端逆变焊机中的应用技术优势
最高漏源电压 VDSS=650 VV，连续工作电流 ID=40 A（结温 Tj=100∘C），脉冲电流 80 A，满足逆变焊机高功率输出的需求。