中国芯片突破！长江存储量产294层3D NAND，绕美封锁再创新高
在数字设备内部，3D NAND存储芯片扮演着至关重要的角色，无论是智能手机中的存储空间，还是电脑里高速的SSD硬盘，都离不开这一核心技术。与逻辑芯片的发展路径不同，NAND存储芯片无法无限制地通过缩小工艺尺寸来提升性能。研究表明，当工艺尺寸缩小到大约15至18
3dnand
绕开美国封锁，中国厂商，量产294层 3D NAND存储芯片
既然不能无限缩小工艺，那如何来提高性能呢，厂商们采用的是3D 堆叠技术，也就是有了32层3D NAND闪存，64层、96层，128层，196层，232层……，堆叠的层数越多，技术越先进，速度越快，存储密度越高。
旺宏电子申请半导体接合结构及其制造方法专利，应用于高性能、高容量的 3D NAND 闪存制造
金融界 2025 年 3 月 19 日消息，国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“半导体接合结构及其制造方法”的专利，公开号 CN 119630000 A，申请日期为 2024 年 8 月。
中国长江存储在 3D NAND突破270层
长江存储一直在突飞猛进地发展。据 TecnInsights 专家介绍，长江存储仍持续改进 3D NAND 内存生产技术，最近掌握了芯片的设计，该芯片提供了大约 270 层的存在。
拿什么造1000层的3D NAND？
今年8月份，Counterpoint Research 推出了由Lam Research赞助的白皮书“Scaling to 1,000-Layer 3D NAND in the AI Era”，发布了Lam Research最新的刻蚀技术Lam Cryo™ 3