SK海力士和英伟达展开HBM4谈判
SK海力士与英伟达关于12层HBM4产品的谈判已进入最后阶段。
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小米16渲染图曝光，背部拼色+金属中框设计，或将于10月提前发布
玄戒O1不仅是小米首颗旗舰SoC，还明确对标高通顶级芯片。性能不光追平骁龙8 Gen3至尊版，还围绕AI、功耗管理和系统级体验做了定制优化。
SK海力士展示HBM4，黄仁勋赞叹
由于SK海力士向英伟达提供的HBM模型安装在Blackwell，这是为了强调英伟达的合作伙伴关系。
三星准备采用HBM4混合键合技术以降低发热量并提升带宽
在最近于首尔举行的人工智能半导体论坛上，三星电子透露，其即将推出的HBM4内存堆栈将采用混合键合技术。此举旨在降低热阻并实现大带宽内存接口。随着人工智能和高性能计算应用对带宽和效率的要求越来越高，这些特性变得越来越重要。
HBM4专用新设备，来了！
HANMI Semiconductor 董事长 Kwak Dong-shin 表示：“英伟达将在今年下半年使用 HANMI Semiconductor 的 TC Bonder 生产其下一代产品 Blackwell Ultra。因此，我们的 HBM TC Bon
三星计划率先在HBM4内存中采用混合键合技术
在韩国首尔举行的AI半导体论坛上，三星透露计划在其HBM4内存中采用混合键合技术，以降低热功耗并实现超宽内存接口。而三星的竞争对手SK海力士，据报道可能会推迟采用混合键合技术。
三星将采用混合键合技术来生产HBM4
三星计划在其 HBM4 中采用混合键合技术，以减少热量并实现超宽内存接口，该公司在韩国首尔举行的 AI 半导体论坛上透露。相比之下，该公司的竞争对手 SK 海力士可能会推迟采用混合键合技术。
三星计划在HBM4采用混合键合技术，SK海力士暂时仅作为备用手段
三星将从第10代V-NAND闪存开始，采用长江存储（YMTC）的专利混合键合技术。三星的目标是在2025年下半年开始量产第10代V-NAND闪存，预计总层数达到420层至430层。除了NAND闪存芯片引入混合键合技术，三星还打算扩展到DRAM芯片。
特斯拉致力开发AI芯片，传要三星、SK海力士提供HBM4样本
韩媒传出，特斯拉（Tesla Inc.）为了开发自有的AI芯片，已要求三星电子（Samsung Electronics Co.）、SK海力士（SK Hynix Inc.）提供第六代高带宽内存（HBM）“HBM4”样本。