电力电子研发工程师认知体系的重构:从“硅基思维”到“宽禁带思维”
在国产SiC(碳化硅)功率模块全面取代进口IGBT模块(绝缘栅双极晶体管)的时代变革中,电力电子研发工程师需从技术认知、设计能力、产业链协同等多维度重构自身核心竞争力,以适应技术代际差异并推动企业发展。以下是具体策略与路径:
在国产SiC(碳化硅)功率模块全面取代进口IGBT模块(绝缘栅双极晶体管)的时代变革中,电力电子研发工程师需从技术认知、设计能力、产业链协同等多维度重构自身核心竞争力,以适应技术代际差异并推动企业发展。以下是具体策略与路径:
在全球碳中和与数字化浪潮的双重驱动下,半导体材料正经历从“硅基时代”向“超宽禁带时代”的跃迁。作为“终极半导体材料”的金刚石,凭借超高热导率、超高击穿场强以及宽光谱透过性,成为突破功率电子、光电器件、高频通信等领域性能瓶颈的关键材料。
在全球碳中和与数字化浪潮的双重驱动下,半导体材料正经历从“硅基时代”向“超宽禁带时代”的跃迁。作为“终极半导体材料”的金刚石,凭借超高热导率、超高击穿场强以及宽光谱透过性,成为突破功率电子、光电器件、高频通信等领域性能瓶颈的关键材料。
2024年,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(以下简称“联盟”)在推动宽禁带半导体技术的创新与应用方面取得了稳步进展。作为行业的重要力量,联盟积极发挥平台作用,致力于推动技术创新和产业升级。本年度,联盟举办了各类技术交流活动,致力于构建一个更加高效、协同的创