垂直金红石型GeO₂肖特基势垒二极管的首次亮相
京都工艺纤维大学的研究人员宣称取得了突破,他们演示了首款垂直金红石型GeO2肖特基势垒二极管(金红石型GeO2是一种四方晶体结构,其中Ge4+与六个等效的O2-原子键合,形成共用顶点和边的GeO6八面体)。
京都工艺纤维大学的研究人员宣称取得了突破,他们演示了首款垂直金红石型GeO2肖特基势垒二极管(金红石型GeO2是一种四方晶体结构,其中Ge4+与六个等效的O2-原子键合,形成共用顶点和边的GeO6八面体)。
说明:异质结是由两种不同禁带宽度的半导体材料(如硅与化合物半导体)在原子级尺度上紧密接触形成的界面结构,其界面处能带结构的不连续性使其具备独特的电学和光学特性。
说明:异质结是由两种不同禁带宽度的半导体材料(如硅与化合物半导体)在原子级尺度上紧密接触形成的界面结构,其界面处能带结构的不连续性使其具备独特的电学和光学特性。
2024年8月30日互动易:公司汽车IGBT芯片长期稳定向国内多家整车厂、TIER 1大批量供货,主要应用在新能源汽车的主驱逆变器。相应的车用灌封模块均已通过AQG324等相关车规级认证,并已通过客户端整车认证,进入大批量生产阶段。
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