中微公司刻蚀技术新飞跃:双反应台刻蚀精度达0.2A亚埃级
中微半导体设备(上海)股份有限公司,即中微公司,近期在半导体制造技术领域取得了显著进展。公司宣布,其ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star®在提升反应台间气体控制精度方面实现了新的技术突破。
中微半导体设备(上海)股份有限公司,即中微公司,近期在半导体制造技术领域取得了显著进展。公司宣布,其ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star®在提升反应台间气体控制精度方面实现了新的技术突破。
华林科纳半导体高选择性蚀刻是指在半导体制造等精密加工中,通过化学或物理手段实现目标材料与非目标材料刻蚀速率的显著差异,从而精准去除指定材料并保护其他结构的工艺技术。其核心在于通过工艺优化控制不同材料的刻蚀速率比,达到>5:1甚至更高的选择比标准。
几年前,一位自动驾驶工程师找到中国科学院理化技术研究所贺军辉研究员,前者讲起了自己在工作中碰到的问题:自动驾驶用的多种光学传感器光学窗容易被污染,导致车辆在无人干预的情况下无法自动行驶,只能“趴窝”。