欧洲FD-SOI中试线征集设计，目标直指2027年10nm工艺芯片
欧洲先进FD-SOI中试线项目FAMES近日宣布了一项重要计划，旨在征集采用10nm和7nm FD-SOI全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计。这一消息由法国媒体ECInews率先报道，引起了业界的广泛关注。
10nm
欧洲先进FD-SOI中试线启动设计征集，目标2027年实现10nm
欧洲先进 FD-SOI 中试线（技术试点线）项目 FAMES 当地时间 18 日正式宣布对外公开征集计划采用 10nm、7nm FD-SOI 全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计。
三星将建造第七代10nm级别的DRAM测试产线，以提升产品竞争力
三星已经开始建造新的测试产线，主要针对未来第七代10nm级别的DRAM量产工作提前做准备，以提高良品率。过去几年里，三星逐渐丧失了在DRAM领域的领导地位，包括HBM在内的各种内存产品逐渐被竞争对手追赶甚至超越，此举可能是为了提升产品竞争力，重新获得市场主导权