近日，电子科技大学功率集成技术实验室罗小蓉教授团队联合华润微电子(重庆)有限公司，在学术期刊IEEE Electron Device Letters发表了一篇名为Experimental Study of Heavy Ion Irradiation Hardn

器件 实验 辐照 hemt hemt器件 2025-05-19 08:51  2

半导体产业网获悉：近日，电子科技大学功率集成技术实验室罗小蓉教授团队联合华润微电子(重庆)有限公司，在学术期刊IEEE Electron Device Letters发表了一篇名为Experimental Study of Heavy Ion Irradiat

器件 辐照 hemt hemt器件 空穴 2025-05-16 12:10  2

本文由帕多瓦大学的G. Meneghesso教授和E. Zanoni教授等人合作撰写。本文针对当前及下一代电力电子领域中市售的碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）晶体管进行了全面综述与展望。首先讨论了GaN与SiC器件的材料特性及结构差异。基于对市售GaN与Si

sic 器件 电力 双引擎 hemt 2025-05-16 08:51  2