铌酸锂晶体资讯

综述与述评 | 陈昆峰，薛冬峰，等：铌酸锂晶体、单晶薄膜及其在光芯片产业的未来布局

随着5G/6G通信技术、大数据、人工智能等应用领域的快速发展，新一代光子芯片的需要日益增长。铌酸锂晶体凭借优异的电光、非线性光学和压电特性，成为光子芯片的核心材料，被称为光子时代的“光学硅”材料。近年来，铌酸锂单晶薄膜制备和器件加工技术取得突破，展现出尺寸更小

据QYResearch调研团队最新报告“全球铌酸锂晶体市场报告2023-2029”显示，预计2029年全球铌酸锂晶体市场规模将达到1.7亿美元，未来几年年复合增长率CAGR为2.2%。

2024年度山东省十大科技成果创新发布活动于1月15日在山东广播电视台800平米演播大厅成功举行。山东省副省长宋军继，省科技厅厅长孙海生，省创新发展研究院院长刘峰出席活动并为成果代表颁发证书和纪念牌。

日前，电子科技大学-天府绛溪实验室联合团队与山东大学合作，在国际上首次实现基于掺铒铌酸锂晶体波导的光-原子纠缠芯片，将从基础元件角度推动长距离、大带宽量子纠缠互联系统的向前发展。

日前，电子科技大学—天府绛溪实验室联合团队与山东大学合作，在国际上首次研发出了基于掺铒铌酸锂晶体波导的光—原子纠缠芯片，并完成了相关验证。这将从基础元件角度推动长距离、大带宽量子纠缠互联系统的向前发展。

日前，电子科技大学—天府绛溪实验室联合团队与山东大学合作，在国际上首次研发出了基于掺铒铌酸锂晶体波导的光—原子纠缠芯片，并完成了相关验证。这将从基础元件角度推动长距离、大带宽量子纠缠互联系统的向前发展。

周期极化过程如图1所示，整个实验装置由任意函数发生器AFG(ArbitraryFunctionGenerator)、高压放大器HVA(HighVoltageAmplifier)、高压探针台、3个串联在一起的100MΩ电阻和一个双通道示波器OSC(Oscillo