芯片，最新路线图
众所周知，作为全球半导体工艺研发的核心枢纽，IMEC依托顶尖科研团队、先进基础设施，以及产学研协同创新的独特模式，长期引领行业技术发展，在半导体领域的权威性与前瞻性备受业界认可。
finfet
模拟的新突破：150G的DAC
总部位于比利时鲁汶的IMEC宣布了一项重大的模拟设计突破：一款7位、150 GSa/s的数模转换器（DAC），采用PAM-4调制，目标速度高达每通道300 Gb/s。IMEC报告称，这为数据中心和超大规模计算架构中显著提升互连速度铺平了道路。
22nm Gate Last FinFET Process Flow介绍
首先是P型衬底上面有一层外延生长的Si，厚度大概1um，然后再生长一层Screen Oxide。
为什么 3 nm 是道坎？
随着小米推出 3 nm 芯片，3 nm 工艺节点也再次成为讨论的焦点。随着芯片尺寸继续微缩，如今最前沿的先进制程工艺玩家已仅剩下三星、台积电和英特尔，而 3 nm正卡在 FinFET 工艺的极限上，三家采用了不同的技术方向，为什么会这样呢？
关于苹果全玻璃iPhone的更多细节浮出水面 - GSMArena.com 新闻
苹果公司计划在2027年庆祝iPhone的20周年，讨论关于iPhone 19 Pro的重大改版。预计该型号将采用“广泛的玻璃”材料和无显示切口的曲面设计，标志着自2017年iPhone X以来的最大设计变革。苹果正与三星显示和LG显示谈判，获取下一代“无边框