仅余一席！2025世界碳化硅大会即将招满
近年来，碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表之一，在新能源汽车、充电桩、服务器电源、光伏等多个领域展现出巨大的应用潜力。碳化硅材料具有高击穿场强、高热导率、高饱和电子漂移速率等优异特性，使其在高压、高温等更为极端环境下表现出色。随着供应链技术的不断改进，
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开启碳化硅时代新篇章，6月13日2025世界碳化硅大会直播见！
近年来，碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表之一，在新能源汽车、充电桩、服务器电源、光伏等多个领域展现出巨大的应用潜力。碳化硅材料具有高击穿场强、高热导率、高饱和电子漂移速率等优异特性，使其在高压、高温等更为极端环境下表现出色。随着供应链技术的不断改进，
2025世界碳化硅大会来袭，将带来全新新能源汽车高压快充解决方案
近年来，碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表之一，在新能源汽车、充电桩、服务器电源、光伏等多个领域展现出巨大的应用潜力。碳化硅材料具有高击穿场强、高热导率、高饱和电子漂移速率等优异特性，使其在高压、高温等更为极端环境下表现出色。随着供应链技术的不断改进，
GaN半导体器件市场占有率排名报告2025
据恒州诚思调研统计，2024年全球GaN半导体器件市场规模约169.5亿元，预计未来将持续保持平稳增长的态势，到2031年市场规模将接近487.2亿元，未来六年CAGR为16.4%。