AI算力狂飙，EUV光刻技术挑战极限
从支持大语言模型的超大规模数据中心，到智能手机、物联网设备和自主系统中的边缘AI，各种应用对尖端半导体的需求都在加速增长。但制造这些芯片严重依赖极紫外（EUV）光刻技术，这已成为扩大生产的最大障碍之一。自2019年首批商用EUV芯片下线以来，设备、掩模生成和光
euv光刻
EUV光刻，有变！
EUV技术自从其提出以来，面临着多重挑战，包括高成本、复杂的光学系统以及需要在高精度下制造光罩等。然而，随着技术不断成熟，EUV逐渐突破了制程限制，尤其在10nm及以下的制程中展现出了其不可替代的优势。
碳纳米管如何变革EUV光刻领域
在人工智能和高度互联技术普及的推动下，半导体行业规模预计在未来十年内将翻倍。然而，尽管微型芯片作为支撑从智能手机到救生医疗设备等一切产品的微小动力源，正面临着前所未有的需求增长，但它们也面临着迫在眉睫的技术瓶颈。
EUV光刻，新的对手
最近，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）宣布开发出了一种名称为大孔径铥 （BAT） 激光器，这种激光器比现在行业内的标准CO2激光器将EUV光源提高约10倍。
颠覆EUV光刻，美国研究新光源：效率大增
美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室正在研发一种拍瓦级（petawatt-class）铥激光器（thulium laser），据说其效率比 EUV 工具中使用的二氧化碳激光器高 10 倍，并且可以在未来许多年内取代光刻系统中的二氧化碳激光器。
EUV光刻，迎来挑战者
2024年9 月，佳能推出了首款商用版技术，该技术有朝一日可能会颠覆最先进的硅芯片制造工艺。这项技术被称为纳米压印光刻 (NIL) ，能够对小至 14 纳米的电路特征进行图案化，从而使逻辑芯片能够与目前量产的英特尔、AMD和Nvidia处理器相媲美。
DNP实现适用于超2nm一代的EUV光刻光掩模精细图案分辨率
东京--(美国商业资讯)-- Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP, TOKYO: 7912) 成功实现超2nm（nm：10