OPPO A5真机图赏，旗舰同款蚀刻工艺，更有满级防水能力
以OPPO A5为例，该机采用了时下流行的直屏+直边组合，提供了云母蓝、晶钻粉、锆石黑三种时尚配色，在旗舰级玻璃蚀刻工艺的加持下，不仅拥有夺目绚丽的视觉效果，而且手感还非常的细腻亲肤，完全摆脱了千元机常见的塑料廉价感。
蚀刻
介孔硅：蚀刻技术揭示独特的电子传输特性
硅是最著名的半导体材料。然而，受控纳米结构会彻底改变材料的特性。HZB 的一个团队利用专门开发的蚀刻设备，生产出具有无数微小孔隙的介孔硅层，并研究了它们的电导率和热导率。
聚焦电子束诱导加工（FEBIP）的起源
聚焦电子束诱导加工（Focused Electron Beam Induced Processing, FEBIP）是现代纳米制造领域的核心技术，该技术利用高能电子束与表面吸附分子间的相互作用，实现纳米尺度的精确加工，在科学研究与工业应用中占据重要地位。
为了1000层闪存，拼了！
近日，由Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校和美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室（PPPL）的科学家们联手开发的创新蚀刻工艺，使3D NAND蚀刻速度翻倍，精度也得到提高，为实现更密集、更高容量的内存存储奠定了基础，为3D NAND闪存技术的进一
什么是高选择性蚀刻
华林科纳半导体高选择性蚀刻是指在半导体制造等精密加工中，通过化学或物理手段实现目标材料与非目标材料刻蚀速率的显著差异，从而精准去除指定材料并保护其他结构的工艺技术。其核心在于通过工艺优化控制不同材料的刻蚀速率比，达到>5:1甚至更高的选择比标准。
细分领域全球市占率第二 三年营收复合增长率近20% 新恒汇上市进程或加速
进入2025年，有迹象显示IPO批文的速度有明显提升。3月11日晚间，深交所官网信息显示，新恒汇电子股份有限公司（以下简称“新恒汇”或“公司”）已于当日正式向证监会提交注册申请并获得受理，向IPO发行上市前最后一道关卡冲击。
科林研发推出业界最先进导体蚀刻技术，克服关键芯片微缩挑战
科林研发（Lam Research）宣布推出业界最先进的导体蚀刻技术“Akara”，为电浆蚀刻领域的突破性创新，也是目前最先进的导体蚀刻机台，并克服芯片制造商面临的关键微缩挑战。
等离子体刻蚀新突破：硅垂直通道蚀刻速度翻倍！
科学界传来新突破，一项由Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校及美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室（PPPL）携手研发的新型蚀刻工艺近日曝光。这项创新技术运用氟化氢等离子体，成功将硅材料垂直通道的蚀刻效率翻倍，仅需短短一分钟，便能完成640纳米的蚀
新蚀刻工艺：等离子体助力3D NAND闪存效率倍增！
在科技领域的最新进展中，3D NAND闪存技术因其存储单元堆叠的独特设计而备受瞩目，这一设计策略不仅显著提升了存储密度与容量，还有效降低了生产成本。近日，一项创新蚀刻工艺的问世，为3D NAND闪存技术的进一步突破带来了希望。
1分钟640纳米！等离子体让3D NAND闪存蚀刻效率翻倍
最近，来自Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校、美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室(PPPL)的众多科学家联合设计了一种新的蚀刻工艺。
科学家发现更高效蚀刻 3D NAND 内存的方法
为了改进数据存储，研究人员正在完善三维 NAND 闪存，这种闪存将单元堆叠起来，以最大限度地利用空间。研究人员发现了一种更快、更高效的方法，可利用先进的等离子体工艺在 3D NAND 闪存中蚀刻深孔。 通过调整化学成分，他们将蚀刻速度提高了一倍，并改善了精度，
半导体蚀刻设备市场报告-主要企业、市场规模、份额及发展趋势
半导体蚀刻设备是用于在半导体制造过程中，通过化学或物理方法去除晶圆表面特定区域材料的关键设备。
全球刻蚀后清洗液市场规模研究报告2024-恒州诚思
恒州诚思（YH Research）调研发布的《2024-2030全球刻蚀后清洗液行业调研及趋势分析报告》深入而系统地审视了刻蚀后清洗液行业的全方位发展环境，详尽剖析了产业的基本现状，并前瞻性地探讨了该行业的未来发展前景，为刻蚀后清洗液行业的走向绘制了清晰的蓝图
NAND闪存目标：1000层
在未来几年，芯片产业将致力于将3D NAND闪存的堆栈高度提升至当前水平的四倍，即从200层增加至800层乃至更高，借此额外增加的存储容量来应对市场对各类内存需求的持续增长。