种子轮融资由 imec.xpand 领投，并得到 Eurazeo、XAnge、Vector Gestion 和 imec 的支持，该公司由首席执行官 Sylvain Dubois（前谷歌员工）和首席技术官 Sebastien Couet（前 imec 员工）创

imec mram 工研院 2025-01-15 17:29  4

随着半导体技术不断进步，传统的集成电路供电方法正面临重大挑战。现代芯片日益增加的复杂性和密度已经推动正面供电网络达到极限，促使研究人员和制造商探索创新解决方案。背面供电网络（BSPDN）就是受到广泛关注的方案。本文将探讨BSPDN的概念、优势、关键技术以及在2

网络 芯片 imec 2025-01-14 21:35  4

硅通孔 (TSV) 可缩短互连长度，从而降低芯片功耗和延迟，以更快地将信号从一个设备传输到另一个设备或在一个设备内传输。先进的封装技术可在更薄、更小的模块中实现所有这些功能，适用于移动、AR/VR、生物医学和可穿戴设备市场。

tsv ald imec 2025-01-07 21:47  3

硅通孔 (TSV) 可缩短互连长度，从而降低芯片功耗和延迟，以更快地将信号从一个设备传输到另一个设备或在一个设备内传输。先进的封装技术可在更薄、更小的模块中实现所有这些功能，适用于移动、AR/VR、生物医学和可穿戴设备市场。

tsv imec 硅通孔 2025-01-07 19:16  3

有这样一家公司，它宣称自己已经造出“世界上最小的像素”，并造出全球第一个基于相变材料的“真彩色 3D 全息显示器”。当地时间 1 月 3 日，这家公司再迎新动态。

芯片组 全息 imec 2025-01-05 17:09  4

一直以来，从特斯拉开始，到国内新势力（蔚来、小鹏、理想）布局算力芯片的自主研发，都是备受关注和争议。尤其是围绕成本和投资回报、自主可控以及软硬协同的讨论，从来没有停止。

芯片 synopsys imec 2025-01-03 09:36  3

2024 年，是欧洲领先的微电子研究中心imec 成立 40 周年，imec 首席执行官Luc Van den hove强调了微芯片在解决人类面临的一些最紧迫挑战方面的潜力。

芯片 imec 微芯片 2024-12-29 11:50  4

近二十年来，人们已经清楚地认识到，受摩尔定律启发的纯尺寸缩放不再是预测 CMOS 技术节点演进的唯一指标。第一个迹象出现在 2005 年左右，当时固定功率下的节点到节点性能改进（称为 Dennard 缩放）开始放缓。逐渐地，半导体行业开始用其他技术创新来补充以

工艺 imec mx2 2024-12-25 09:48  4

几十年来，超快且易失性的SRAM一直被用作高性能计算架构中的嵌入式缓存，它位于多级（L1、L2、L3……）分层系统中非常靠近处理器的位置。它的作用是存储常用数据和指令以便快速检索，其中 L1 是所有缓存中最快的。SRAM 位密度扩展速度已经放缓一段时间了，位单

imec sram saf 2024-12-21 16:25  3

双列CFET的概念示意图。此为一颗正反器（D型正反器，或称为DFF）的布局，显示了当标准单元从单列转变为双列CFET时，高度和尺寸减少了24纳米（或12.5%）（H. Kuekner等人，2024年IEEE国际电子会议）。用来构建一个双列CFET架构的虚拟制程

双列 imec 埃米 2024-12-10 16:55  3

近日，IEDM在旧金山举行。在 CMOS 逻辑技术中，晶体管技术的发布引人注目。除了宣布 2nm 代 CMOS 逻辑平台外，台积电还将报告使用单片制造的 CFET（互补 FET）制作逆变器原型的结果。英特尔将推出采用 6 nm 短栅极长度的纳米片 FET 的

imec 栅极 iedm 2024-12-09 17:02  3

英特尔、台积电和三星目前正在将其工艺推进至 1.8nm（18A）和 1.6nm（16A），采用全栅极晶体管（英特尔称之为 RibbonFET），并进一步推进至 14A 节点。对于更远的工艺，imec 一直在研究工艺路线图上下一代互补场效应晶体管 (CFET)

intel 路线图 imec 2024-12-09 11:48  3

12月7日，比利时微电子研究中心（imec）通过官网宣布，在近日的2024年IEEE 国际电子器件会议 （IEDM）上，其展示了一种基于 CFET 的新标准单元架构，其中包含两排 CFET，中间有一个共享的信号路由墙。

imec cfet cfet架构 2024-12-08 23:39  4