250401芯报丨imec在德国设立小芯片开发中心 将获4000万欧元资金支持
imec（比利时微电子研究中心）计划在德国建立一座小芯片开发中心，以研发汽车芯片技术。该中心名为“先进芯片设计加速器”，将位于德国西南部的巴登-符腾堡州，未来五年将获得4000万欧元的资金支持。该项目的目标是更好地支持本地和国际汽车行业，降低风险并加速汽车芯片
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颠覆DRAM路线图
动态随机存取存储器 (DRAM)是传统计算架构中的主存储器，其位单元在概念上非常简单。它由一个电容器 (1C) 和一个硅基晶体管 (1T)组成。电容器的作用是存储电荷，而晶体管则用于访问电容器，以读取存储的电荷量或存储新电荷。
EUV光刻，有变！
EUV技术自从其提出以来，面临着多重挑战，包括高成本、复杂的光学系统以及需要在高精度下制造光罩等。然而，随着技术不断成熟，EUV逐渐突破了制程限制，尤其在10nm及以下的制程中展现出了其不可替代的优势。
泛林公布干式光刻胶进展
泛林集团 Lam Research 美国加州当地时间本月 14 日宣布，其干式光刻胶技术成功通过 imec 认证，可直接在逻辑半导体后道工艺（IT之家注：BEOL，互联层制作）中实现 28nm 间距的直接图案化，能满足 2nm 及以下先进制程的需求。
Imec展示了钙钛矿模组的户外稳定性
比利时EnergyVille项目（鲁汶大学、VITO、Imec和哈塞尔特大学之间的合作项目）的合作伙伴Imec与塞浦路斯大学合作，证明了钙钛矿太阳能模组的长期户外稳定性。
欧盟五条芯片试产线启动！
欧洲四大顶尖研究机构负责人与欧盟委员会副主席会面，启动首批五条欧盟芯片法案试点生产线。包括比利时imec、法国CEA - Leti等相关机构参与。这些试验生产线旨在弥合研究创新与制造的差距，加强CMOS半导体生态系统 。
IMEC，加码MRAM
种子轮融资由 imec.xpand 领投，并得到 Eurazeo、XAnge、Vector Gestion 和 imec 的支持，该公司由首席执行官 Sylvain Dubois（前谷歌员工）和首席技术官 Sebastien Couet（前 imec 员工）创
IMEC更新 | 背面供电网络革新芯片设计
随着半导体技术不断进步，传统的集成电路供电方法正面临重大挑战。现代芯片日益增加的复杂性和密度已经推动正面供电网络达到极限，促使研究人员和制造商探索创新解决方案。背面供电网络（BSPDN）就是受到广泛关注的方案。本文将探讨BSPDN的概念、优势、关键技术以及在2
TSV，何去何从？
硅通孔 (TSV) 可缩短互连长度，从而降低芯片功耗和延迟，以更快地将信号从一个设备传输到另一个设备或在一个设备内传输。先进的封装技术可在更薄、更小的模块中实现所有这些功能，适用于移动、AR/VR、生物医学和可穿戴设备市场。
硅通孔的下一步发展
硅通孔 (TSV) 可缩短互连长度，从而降低芯片功耗和延迟，以更快地将信号从一个设备传输到另一个设备或在一个设备内传输。先进的封装技术可在更薄、更小的模块中实现所有这些功能，适用于移动、AR/VR、生物医学和可穿戴设备市场。
从IMEC拆分的比利时初创获2亿元融资，已研发全息扩展现实芯片组
有这样一家公司，它宣称自己已经造出“世界上最小的像素”，并造出全球第一个基于相变材料的“真彩色 3D 全息显示器”。当地时间 1 月 3 日，这家公司再迎新动态。
车企自研芯片，稳了！
一直以来，从特斯拉开始，到国内新势力（蔚来、小鹏、理想）布局算力芯片的自主研发，都是备受关注和争议。尤其是围绕成本和投资回报、自主可控以及软硬协同的讨论，从来没有停止。
芯片四十年：一粒沙，一个希望的世界
2024 年，是欧洲领先的微电子研究中心imec 成立 40 周年，imec 首席执行官Luc Van den hove强调了微芯片在解决人类面临的一些最紧迫挑战方面的潜力。
0.7nm工艺，最新分享
近二十年来，人们已经清楚地认识到，受摩尔定律启发的纯尺寸缩放不再是预测 CMOS 技术节点演进的唯一指标。第一个迹象出现在 2005 年左右，当时固定功率下的节点到节点性能改进（称为 Dennard 缩放）开始放缓。逐渐地，半导体行业开始用其他技术创新来补充以
替代SRAM，新选择！
几十年来，超快且易失性的SRAM一直被用作高性能计算架构中的嵌入式缓存，它位于多级（L1、L2、L3……）分层系统中非常靠近处理器的位置。它的作用是存储常用数据和指令以便快速检索，其中 L1 是所有缓存中最快的。SRAM 位密度扩展速度已经放缓一段时间了，位单
为埃米时代开始准备， imec提出双列CFET结构推动7埃米制程
双列CFET的概念示意图。此为一颗正反器（D型正反器，或称为DFF）的布局，显示了当标准单元从单列转变为双列CFET时，高度和尺寸减少了24纳米（或12.5%）（H. Kuekner等人，2024年IEEE国际电子会议）。用来构建一个双列CFET架构的虚拟制程
IEDM 2024上，0.7nm来了
近日，IEDM在旧金山举行。在 CMOS 逻辑技术中，晶体管技术的发布引人注目。除了宣布 2nm 代 CMOS 逻辑平台外，台积电还将报告使用单片制造的 CFET（互补 FET）制作逆变器原型的结果。英特尔将推出采用 6 nm 短栅极长度的纳米片 FET 的
0.7nm要来了，Imec和Intel：分享路线图
英特尔、台积电和三星目前正在将其工艺推进至 1.8nm（18A）和 1.6nm（16A），采用全栅极晶体管（英特尔称之为 RibbonFET），并进一步推进至 14A 节点。对于更远的工艺，imec 一直在研究工艺路线图上下一代互补场效应晶体管 (CFET)
为实现0.7nm，imec推出双排CFET架构
12月7日，比利时微电子研究中心（imec）通过官网宣布，在近日的2024年IEEE 国际电子器件会议 （IEDM）上，其展示了一种基于 CFET 的新标准单元架构，其中包含两排 CFET，中间有一个共享的信号路由墙。