hbm4内存

三星计划率先在HBM4内存中采用混合键合技术

在韩国首尔举行的AI半导体论坛上，三星透露计划在其HBM4内存中采用混合键合技术，以降低热功耗并实现超宽内存接口。而三星的竞争对手SK海力士，据报道可能会推迟采用混合键合技术。