摘要：全球存储芯片市场再掀波澜——继西部数据旗下Sandisk、中国长江存储旗下致态品牌陆续释放涨价信号后，国际存储巨头美光（Micron）正式向渠道商发布涨价函，宣布上调DRAM与NAND Flash产品价格。至此，三大存储厂商的集体调价动作，标志着行业正式步入“

全球存储芯片市场再掀波澜——继西部数据旗下Sandisk、中国长江存储旗下致态品牌陆续释放涨价信号后，国际存储巨头美光（Micron）正式向渠道商发布涨价函，宣布上调DRAM与NAND Flash产品价格。至此，三大存储厂商的集体调价动作，标志着行业正式步入“复苏周期”，而AI技术爆发带来的需求激增，正成为本轮涨价的核心驱动力。

市场复苏信号明确：三大巨头集体调价

过去两年，受消费电子需求疲软、库存积压等影响，存储芯片行业经历深度调整期，价格一度跌至历史低位。然而，随着2024年下半年AI终端设备（如AI PC、AI手机）的放量，叠加云计算数据中心扩容需求，存储市场供需关系快速逆转。

• 美光率先官宣涨价：根据曝光的内部函件，美光明确表示DRAM与NAND Flash市场已进入“明确复苏阶段”，2025年及2026年需求将持续增长。尽管未公布具体涨幅，但据产业链知情人士透露，美光部分DRAM模组价格或上调15%-20%，企业级SSD合约价涨幅可能更高。

• Sandisk与长江存储早有动作：2025年1月，Sandisk已对渠道商发出涨价通知，消费级SSD价格普涨10%-15%；长江存储则在2月调整致态品牌产品线价格，部分PCIe 4.0 SSD涨幅达20%。两大厂商的调价策略，为美光此番动作铺平道路。

行业分析师指出，三大厂商的“默契”涨价，既是对成本压力（如先进制程研发投入、晶圆厂扩建）的传导，更是对市场话语权的主动掌控——通过价格策略加速中小厂商出清，进一步巩固头部企业垄断格局。

AI需求爆发：存储芯片从“大宗商品”转向“战略资源”

与传统消费电子周期不同，本轮存储涨价的核心逻辑已发生质变。AI技术的大规模落地，正在重塑存储芯片的价值链：

1. HBM（高带宽内存）需求激增：训练大模型所需的AI服务器，推动HBM产能供不应求。美光、SK海力士等厂商已将HBM3E产能优先分配给英伟达、AMD等客户，导致通用DRAM产能被挤压，进一步加剧涨价压力。

2. 端侧AI设备存储升级：AI PC需标配16GB以上LPDDR5X内存+1TB SSD，AI手机则普遍搭载12GB RAM+256GB起步存储组合，单机存储容量较传统设备提升50%以上。

3. 存算一体技术催化：为降低AI运算延迟，近存计算（Near-Memory Computing）架构兴起，要求存储芯片与处理器协同设计，定制化需求推高芯片单价。

“存储芯片正从通用化的大宗商品，转向定制化的高附加值产品。”半导体研究机构TrendForce分析师表示，“2025年全球存储市场规模有望突破1800亿美元，其中AI相关需求占比将达35%。

产业链连锁反应：终端厂商承压，消费者恐迎涨价潮

存储芯片作为智能手机、PC、服务器等产品的核心部件，其成本占比可达15%-25%。此番涨价潮已引发下游厂商的连锁反应：

• 终端品牌提前囤货：为应对成本上升，小米、荣耀等手机厂商被曝在2024年底加大存储采购量，部分型号存储模组库存周期延长至6个月。

• SSD、内存条或跟涨：渠道商透露，金士顿、三星等品牌消费级SSD价格将在4月上调，1TB PCIe 4.0 SSD均价或重回500元区间。

• PC、手机新品定价承压：尽管厂商可通过优化其他零部件成本对冲压力，但2025年发布的旗舰机型起售价恐普遍上涨5%-8%。

长期博弈：技术竞赛与产能博弈

面对涨价潮，存储厂商的长期战略逐渐清晰：

• 美光押注HBM与先进封装：其HBM3E良率已突破90%，2025年产能将翻倍，同时计划将30%的NAND产能转向企业级SSD等高利润产品。

• 长江存储突围“堆叠层数”：通过232层3D NAND技术降本，并联合中国本土AI芯片企业开发定制存储方案，以差异化策略争夺市场份额。

• 三星、SK海力士“冷处理”：两大韩系巨头暂未公开调价，但已减少低毛利产品供应，重心向HBM和车规级存储倾斜。

从Sandisk、长江存储到美光，存储芯片涨价潮的蔓延，既是市场供需关系逆转的结果，更是AI技术革命对半导体产业的重构。对于消费者而言，短期内需面对设备价格上涨的压力；但对行业而言，这场由AI驱动的技术升级与产能博弈，或将催生存储芯片的黄金十年。最终市场走势，仍需以厂商官方信息为准。

来源：一度一年