一文详解半导体芯片失效分析及案例

B站影视 欧美电影 2025-06-27 21:30 1

摘要:针对进口器件采购及使用过程中遇到的仿冒、翻新问题,为验证和鉴别器件的标识、材料、结构、芯片版图和制造质量是否符合原厂规定或工艺特征,通过对采购批抽取器件样本的方式,采用系列试验对器件进行检查和分析,并对识别为非原厂工艺(假冒/后期翻新/改标等)的样品批进行剔除

一、半导体芯片失效分析概述

一、元器件5A试验介绍(中英文)

◆ PFA(Physical Feature Analysis)物理特征分析
◆ DPA(Destructive Physical Analysis)破坏性物理分析
◆ CA(Constructional Analysis)结构分析
◆ FA(Failure Analysis)失效分析
◆ EA(Evaluation Analysis)适用性评价分析

二、PFA(Physical Feature Analysis)物理特征分析

针对进口器件采购及使用过程中遇到的仿冒、翻新问题,为验证和鉴别器件的标识、材料、结构、芯片版图和制造质量是否符合原厂规定或工艺特征,通过对采购批抽取器件样本的方式,采用系列试验对器件进行检查和分析,并对识别为非原厂工艺(假冒/后期翻新/改标等)的样品批进行剔除。

1. 要素说明
● 样品抽样
● 破坏性试验
● 针对采购批
● 原厂特征数据库

2. 器件仿冒翻新的典型类别

3. 典型缺陷

三、DPA(Destructive Physical Analysis)破坏性物理分析

针对元器件生产批的工艺水平及过程控制水平,以验证元器件的设计、结构、材料和制造质量是否满足有关规范的要求或预定用途为目的,通过生产批抽样的方式,采用一系列方法对元器件进行非破坏性和破坏性的检查和分析,从中获取元器件的批质量信息。

1. 要素说明
● 样品抽样
● 破坏性试验
● 针对工艺过程形成的缺陷
● 不可筛选缺陷
● 结果代表生产批质量情况

四、CA(Constructional Analysis)结构分析

针对元器件结构设计的潜在隐患,从元器件的设计、工艺选择和评价等阶段先期介入,通过对元器件结构、工艺、材料的综合评价,分析是否存在对于预定使用环境(如宇航应用)的可靠性隐患和潜在失效机理,最终给出元器件设计对于预定使用环境的适用/限用/禁用结论。

1. 概述

元器件的固有可靠性是由元器件的结构设计和生产控制所决定的。

如果生产控制不严,就会导致器件内部存在工艺缺陷,如果不能通过有效手段剔除,也会造成可靠性影响。 ——DPA剔除


如果结构设计不合理,就会导致元器件的固有可靠性不高,由此带来的问题如果发生在使用阶段,就会给型号任务造成重大影响。 ——结构分析剔除

2. 要素说明
● 选取典型样品
● 破坏性试验(横向纵向解剖)
● 针对结构设计、材料选取、工艺实现原理
● 结合失效机理和失效分析数据库
● 结论针对使用环境给出(适用/限用/禁用)

3. 流程

● 关注应用环境
● 关注设计图纸
● 关注相同结构特征的失效档案
● 用户、厂家、检验方确认试验方案解剖分析试验
● 综合判定

4. 结构单元分解

5. 结构要素识别

6. 典型结构设计缺陷

7. 典型工艺设计缺陷

五、FA(Failure Analysis)失效分析

针对产品全寿命周期过程中的失效问题,以确定失效原因为目标,通过对失效模式的综合性试验分析,定位失效部位、明确失效机理,并基于失效机理提出纠正措施,预防失效的再发生。作为贯穿型号或产品质量控制全流程的重要环节,失效分析对于追溯产品的设计(含选型)、制造、使用、质量管理等各环节的不良因素或潜在隐患都具有重要的意义。


1. 要素说明
●样品唯一性
●公正(第三方)
●失效分析、设计、厂家共同参与
●试验不可逆
●关键过程(方案)

2. 试验方法
QJ3065.5-98元器件失效分析管理要求
GJB3233-98集成电路失效分析程序方法
GJB4157-98分立器件失效分析方法

3. 技术途径

4. 电子、材料案

六、EA(Evaluation Analysis)评价分析

针对低等级或缺陷元器件的高可靠应用,根据器件工艺、结构特点或缺陷隐患,结合实际使用可靠性要求或寿命要求,通过系列试验程序设计,采用专项应力试验或加速试验的方式进行模拟考核,结合相应的检测分析手段给出器件的使用风险评估结论。


1. 要素说明
●母体筛选
●抽样(最差样品)
●环境特点与敏感因素
●专项或加速应力试验
●三方风险评估

2. 试验方法

基于现有评价标准(合格性结论);
基于实际环境的应用模拟加速试验(适用性结论);
现有试验条件进行组合,根据试验结果进行风险评估。

3. 典型案例

界面疲劳试验(湿热试验、温度循环/冲击)
①按照基于Coffin-Manson模型的温度循环加速因子,
经验公式如下:

②按照修正的Coffin-Manson模型

七、5A的联系与区别

八、PCB板检测分析

九、材料检测分析

十、元器件应用验证

十一、家电产品可靠性分析

十二、知识产权及司法鉴定

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来源:半导体封装工程师之家一点号

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