摘要：EG27517单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。EG27517的电源电压范围宽4V～20V，静态功耗小。该芯片双输入设计
EG27517单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。EG27517的电源电压范围宽4V～20V，静态功耗小。该芯片双输入设计（可选择反相IN- 或正相IN+驱动器配置）当 VDD = 12V 时，EG27517 可提供峰值为 4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力；采用SOT23-5封装。
芯片特点
低成本栅极驱动器器件提供 NPN 和 PNP 离散解决方案的高品质替代产品VDD电压范围4V-20V输出电流能力IO+/- 4A/4A输入输出延时短当输入引脚悬空时，输出保持在低电平外围器件少静态电流小，非常适合电池场合封装形式：SOT23-5无铅绿色环保，符合ROHS报告。来源：BAISEHN电子
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