摘要：长江存储已经开始出货第五代3D TLC NAND闪存，共有294层，以及232个有源层。尽管长江存储在技术开发商受到了诸多限制，但是已经成功地将密度提高到行业相同的水平，实现了最高的垂直栅密度，也是现阶段商业产品中最高的，使得长江存储成为了全球NAND闪存市场

据TomsHardware报道，长江存储已经开始出货第五代3D TLC NAND闪存，共有294层，以及232个有源层。尽管长江存储在技术开发商受到了诸多限制，但是已经成功地将密度提高到行业相同的水平，实现了最高的垂直栅密度，也是现阶段商业产品中最高的，使得长江存储成为了全球NAND闪存市场的有力竞争者。

与之前的设计一样，长江存储的3D NAND器件使用了串堆叠。294层无论对于长江存储乃至整个闪存行业都是一个重要里程碑，232个有源层也与竞争对手一致。目前只有SK海力士的321层TLC 4D NAND闪存拥有者业界最高的有效层数，将于今年上半年开始出货。

在位密度方面，长江存储第五代3D TLC NAND闪存超过了20Gb/mm²，预计与SK海力士差不多，略低于铠侠和西部数据BiCS8 QLC NAND闪存的22.9Gb/mm²。长江存储应该采用了晶栈4.0（Xtacking 4.0）架构，继续使用了混合键合技术将闪存阵列与CMOS逻辑和接口连接起来，以最大限度地提高存储密度和I/O性能，通常都会超过竞争对手。

虽然长江存储已经开始出货第五代3D TLC NAND闪存，但是官方还没有正式发布该款闪存芯片，很可能是为了避免引起外界的关注。

来源：超能网