摘要：中国内存制造商ChangXin Memory Technologies（CXMT）最近开始大规模生产DDR5芯片。现在TechInsights的分析师已经对他们的架构进行了分析，分析师认为三星、SK hynix和Micron的产品领先中国三年。然而，部件制造商

中国内存制造商ChangXin Memory Technologies（CXMT）最近开始大规模生产DDR5芯片。现在TechInsights的分析师已经对他们的架构进行了分析，分析师认为三星、SK hynix和Micron的产品领先中国三年。然而，部件制造商已经准备好将此内存发布，MSI针对中国消费者发布了针对CXMT内存优化的主板BIOS更新。

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TechInsights选择了Gloway的16 GB DDR5-6000 UDIMM（VGM 5 UC 60 C36 AG-DVDYBN），支持16 GB CXMT芯片。芯片尺寸为8.19 × 8.18毫米，面积为66.99毫米，密度为0.239千兆位/毫米²;晶体是密封的。水晶是使用新的CXMT G4技术制造的，电池尺寸为16纳米，电池面积为0.002平方米，与之前的G3技术（18纳米）相比，其尺寸减少了20%。电池间距为29.8，41.7和47.9 nm，以及wordline和bitline线-三星，SK hynix和Micron的D1 z世代（15.8 - 16.2 nm）也是如此。CXMT的合格产品产量为80%，这是一个非常高的数字。

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以前，CXMT 使用自己的 G1（D2y，23.8 纳米）和 G2（D1x，18.0 纳米）技术生产 DRAM。市场领导者三星、SK 海力士和美光现已改用使用超硬紫外线 （EUV） 的 12-14 纳米技术。相比之下，三星已将芯片尺寸减小到 6.46 × 7.57 mm，相当于 48.90 mm² 的面积，这并没有阻止这家中国制造商在芯片密度方面赶上世界领先者，并通过提供更低的价格标签成为成熟的竞争对手。现在它的产品线包括 DDR3L（2 和 4 Gbps）、DDR4（4 和 8 Gbps）、LPDDR4X（6 和 8 Gbps）、LPDDR5（12 Gbps）和现在的 DDR5（16 Gbps）芯片。此前，CXMT使用自己的G1（D2 y，23.8nm）和G2（D1 x，18.0nm）技术生产DRAM。

CXMT DDR5芯片已经推出了Gloway和Kingbank的内存模块-它们比SK hynix芯片便宜，尽管它们提供了更高的时间表CL 36 - 36 - 36-80和CL 36 -40-40-96。中国内存完全兼容现代平台。MSI在中国发布了MAG B860 Tomahawk Wi-Fi、MAG B860 M Mortar Wi-Fi和Pro B860 M-A Wi-Fi主板，价格分别为1，699元人民币（235美元）、1，499元人民币（205美元）和1，299元人民币（180美元），而他们的最新BIOS更新包括针对CXMT DDR5芯片的优化，Tom's Hardware关注。

三星、SK hynix和Micron于2021年生产了使用16 nm技术的芯片，今天他们已经转向D1 a/D1 α和D1 b/D1 β，使用12-14 nm元素。这表明市场领导者与CXMT之间存在三年的技术差距，但中国制造商正在积极前进：它错过了17 nm（D1 y）技术，从18 nm立即升级到16 nm（D1 z），现在正在积极研发下一代技术，即小于15 nm和没有EUV平版印刷技术; HBM内存也在研发中。

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