摘要：另一个有前途的领域是将电容器侧放，这将有助于减少层的厚度，以便将这些层垂直放置。芯片生产设备制造商 Lam Research 提出了几种实现这一目标的方法：翻转单元、移动位线和使用环境栅极晶体管 （GAA）。考虑完全没有电容器的 DRAM 设计;提供浮体 DR

内存行业采取保守的方法，制造商更喜欢渐进式改进，而不是革命性的变化。但到本世纪末，单片 3D DRAM 可能会向世界展示，但目前尚不清楚该决定将采取何种形式，或者这种内存何时可以进行大规模生产。

图片来源： samsung.com

另一个有前途的领域是将电容器侧放，这将有助于减少层的厚度，以便将这些层垂直放置。芯片生产设备制造商 Lam Research 提出了几种实现这一目标的方法：翻转单元、移动位线和使用环境栅极晶体管 （GAA）。考虑完全没有电容器的 DRAM 设计;提供浮体 DRAM （FB-DRAM） 技术，类似于浮栅闪存。Neo Semiconductor 提出了一种基于双栅极 Floating Body Cell 的商业技术。模拟表明，首席执行官 Andy Hsu 说。因此，单片 3D DRAM 的出现可能确实指日可待，但制造商还需要几年时间才能为一种解决方案提供资金。另一个有希望的方向是将电容器放在一边，这将有助于降低层的厚度，以便垂直放置这些层。芯片制造商Lam Research提出了几种方法来实现这一目标：翻转电池，移动比特线，以及使用周围封闭式晶体管（GAA）。考虑的是无电容器的DRAM设计，并提供了Floating Body DRAM（FB-DRAM）技术，类似于浮动式闪存。Neo Semiconductor公司推出了一项基于Floating Body双锁单元的商业技术。该模型显示，“这种机制可以提高灵敏度和数据保护，”首席执行官Andy Hsu说。因此，整体3D DRAM的出现可能已经迫在眉睫，但制造商需要几年的时间才能获得支持。

来源：A7a369一点号