Linear Systems的SD210DE/SD214DE和SST210/SST214 N-Channel Lateral DMOS开关

B站影视 2025-01-02 10:16 2

摘要:Linear Integrated Systems(LIS)的SD210DE/214和SST210/214系列N-Channel Lateral DMOS Switch是为高速应用设计的高性能MOSFETs,适用于音频、视频和高频领域。

Linear Integrated Systems(LIS)的SD210DE/214和SST210/214系列N-Channel Lateral DMOS Switch是为高速应用设计的高性能MOSFETs,适用于音频、视频和高频领域。

PART NUMBER

VoRjos Min (V)

Vcsjth Max (V)

rDsjon Max(Q

Crss Max(pF)

ton Max(ns)

SD210DE

30

1.5

45@Vgs=10V

0.5

2

SD214DE

20

1.5

45 @Vcs=10V

0.5

2

SST210

30

1.5

50@Vcs=10V

0.5

2

SST214

20

1.5

50@Vgs=10V

0.5

2

核心特性

极速切换:1纳秒的开启时间,实现快速响应。

低电容:0.2皮法的反向电容,优化高频性能。

低电阻:在5V时的低导通电阻,提高能效。

增强模式:N-Channel设计,简化驱动电路。

性能优势

高速性能:支持高速系统,减少信号损失。

低损耗:在高频下保持低插入损耗。

易驱动:简单的驱动要求,适合单电源操作。

应用场景

模拟开关:快速切换模拟信号。

采样保持:高速采样和保持电路。

图像处理:像素速率切换。

DAC去抖动:数字模拟转换器的去抖动。

信号驱动:高速信号驱动。

技术参数

击穿电压:20V至30V,提供过压保护。

阈值电压:最大1.5V,确保低功耗。

导通电阻:在10V栅源电压下,最大45Ω。

开关时间:开启时间0.5ns至1ns,关闭时间2ns至6ns。

环境适应性

工作温度:-55°C至125°C。

功耗:最大300mW。

动态性能

正向跨导:典型值11mS至10.5mS。

节点电容:低至2.5pF。

结论

SD210DE/214和SST210/214系列MOSFETs以其高速切换、低损耗和宽电压范围,成为高速电子应用的理想选择。无论是在音频、视频还是高频应用中,这些MOSFETs都能提供稳定可靠的性能。LIS,一家拥有三十多年历史的精密半导体公司,以其高质量的离散组件和丰富的行业经验,确保了这些产品的性能和可靠性。立维创展优势代理Linear Systems产品,价格优惠,欢迎咨询。

来源:立维创展ldteq

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