铁电畴壁的结构和动力学对于铁电体的极化切换至关重要，而在二维铁电α-In23发表题为《Stacking selected polarization switching and phase transition in vdW ferroelectric α-In23摘要：车仁超，复旦大学先进材料实验室教授，国家杰青（2017）。1997年硕士毕业于哈尔滨工业大学。2003年获得中国科学院物理研究所博士学位，2003-2006年在日本国立材料研究所从事博士后研究工作，2008年起在复旦大学先进材料实验室工作。
车仁超，复旦大学先进材料实验室教授，国家杰青（2017）。1997年硕士毕业于哈尔滨工业大学。2003年获得中国科学院物理研究所博士学位，2003-2006年在日本国立材料研究所从事博士后研究工作，2008年起在复旦大学先进材料实验室工作。
车仁超教授的研究领域包括：电磁波吸收材料、半导体超晶格、储能材料的机理、原位电子显微学等等。
赵昱达，浙江大学微纳电子学院研究员。2012年获得南京大学学士学位。2016年于香港理工大学获得博士学位。2016年起，先后在香港理工大学和法国斯特拉斯堡大学从事博士后研究工作，现任职于浙江大学。
赵昱达研究员的重点研究方向：基于低维材料的后摩尔时代新型半导体器件，包括逻辑器件，类人感知器件、感存算一体器件、智能仿生感知系统等。
季威，中国人民大学物理学院教授，国家高层次人才。2003年本科毕业于北京科技大学，2008年博士毕业于中国科学院物理研究所。2006年-2010年在加拿大麦吉尔大学作访问学者和博士后，2010年加入中国人民大学，期间曾到香港大学作访问教授。
季威教授长期致力于发展和应用独特的第一性原理计算方法，紧密围绕未来信息功能材料及器件和原子级制造技术中的表界面问题，开展相关基础科学研究。发表了包括 Science、Science Advances、Nature Materials、Nature Nanotechnology、Nature Chemistry、Nature Communications、PRL、JACS等。
作者的研究结果证明了通过堆叠配置可调节铁电特性，为铁电器件中的材料工程提供了扩展的维度。
研究结果表明，通过调控堆叠顺序可以调节铁电性能，为铁电器件的材料工程提供了新的维度，这对于设计多功能铁电器件具有重要意义，尤其是在非挥发性存储和类脑计算设备领域展现出广阔的应用前景。
Wu, Y., Zhang, T., Guo, D.et al.Stacking selected polarization switching and phase transition in vdW ferroelectric α-In2来源：华算科技