摘要：这是SK海力士联合CEO郭鲁正在今年5月份接受记者采访的表述，他笑的那是一个合不拢嘴。目前SK海力士不仅是在高带宽HBM内存上大获丰收，有报道称在传统的NAND闪存业务上，SK海力士在今年也将正式超越三星电子。全年净利润将突破23.5万亿韩元，大幅领先三星电子
卖完了，今年的HBM产品全部卖完了，不仅仅今年的，明年2025年的产品也几乎全部售罄。
这是SK海力士联合CEO郭鲁正在今年5月份接受记者采访的表述，他笑的那是一个合不拢嘴。目前SK海力士不仅是在高带宽HBM内存上大获丰收，有报道称在传统的NAND闪存业务上，SK海力士在今年也将正式超越三星电子。全年净利润将突破23.5万亿韩元，大幅领先三星电子的18万亿韩元，远远把三星踩在了脚下。这也将是SK海力士自成立41年以来，营收首次超过三星电子。短短几年间，曾经负债累累的SK海力士是如何奇迹般的崛起的呢？它的成功秘诀又是什么呢？
SK海力士的前身现代电子产业株式会社于1983年成立，然而其诞生之初便遭遇DRAM市场的重大危机。83年到85年游戏市场崩盘，DRAM市场需求急剧下滑，众多厂商纷纷撤离，韩国半导体产业也深受其害，现代电子刚成立就险些歇业。
好在1985年日美半导体大战结束，日元贬值，现代电子获得德州仪器关键技术，并于1986年实现64K DRAM量产，在政府补助下日子相对滋润。2001年与LG半导体合并改名海力士半导体后，却又遭遇全球互联网泡沫破裂，DRAM价格崩盘，海力士亏损高达25亿美元，资产负债率飙升至206%，濒临关门。韩国政府欲出售海力士，却无人接手，后经一系列业务出售和重组，2012年被SK集团收购成为SK海力士。此后，其在存储器市场长期被三星压制。
2008年前后，SK海力士副社长朴明宰在美国技术研讨会上了解到硅穿孔TSV技术进展，力劝公司投入其在低端的应用。2014年推出第一代HBM产品，却面临市场滞销和悲观情绪，因为当时计算机市场对其高价大容量产品需求不足。
但SK海力士团队坚持研发，2022年底 ChatGPT引发AI革命，带来 “造铲子算力革命”，SK海力士凭借多年技术积累，于2023年3月推出性能更强大的HBM3产品，迅速扩大产能，其每秒可处理1.18TB内容，成为全球首个通过英伟达认证的高速内存，HBM营收一年内暴涨近330%。
HBM作为高带宽内存技术，采用3D堆叠DRAM技术，通过创新设计解决传统内存带宽瓶颈问题，其关键技术挑战包括堆叠高度控制和TSV制作等，相关设备主要掌握在国外企业手中。
机会总是留给有准备的人。SK海力士领导人在2009年预见到高带宽存储器潜力，在HBM初期市场接受度低时仍坚持投资，推动技术发展，最终在2023年率先取得领先，而三星则相对滞后。企业在逆境中要敢于投资前瞻性技术，同时要快速战略调整应对危机。其次，强强联手优势尽显。
今年4月，SK海力士与台积电签署合作备忘录，共同推进HBM4技术研发和封装技术整合，这将进一步拉开与三星的差距。最后，在AI技术爆发时代，先进封装技术与相关工艺含金量持续提升。中国大陆在获取HBM2e问题不大，但要加速追赶，实现高性能3D集成并确保产品竞争力与稳定性。未来随着AI普及，高速存储器重要性将增加，唯有持续创新投入，才能抓住新兴技术机遇。SK海力士的崛起之路为科技企业提供了宝贵经验，在全球芯片产业竞争日益激烈的当下，各方都需不断探索前行，方能在技术浪潮中站稳脚跟，实现长远发展。
朴明宰
在当今AI技术持续爆发的时代背景下，先进封装技术以及TSV、ECP等相关工艺的重要性日益凸显，其含金量也在不断提升。就目前而言，中国大陆在获取HBM2e方面尚不存在太大障碍，并且国内不少企业在先进封装和TSV技术上已经积累了一定的经验和技术储备。但我们也必须清醒地认识到，与国际先进水平相比，仍存在不小的差距。
当前更为关键的是，如何在已有基础上加速追赶，如何通过先进工艺实现高性能3D集成，并确保最终产品在性能、稳定性和成本等方面具备强大的市场竞争力，这将是国内企业面临的巨大考验。随着生成式AI和端侧AI的日益普及，高速存储器的重要性将会进一步提升，其市场需求也将持续增长。可以说，3D封装技术为全球芯片产业带来了新的、更多的战略性机遇。在这个充满机遇与挑战的时代，唯有持续创新、不断加大研发投入，才能在新兴技术的浪潮中抢占先机，抓住新的发展机遇。
SK海力士的崛起之路为全球芯片产业的发展提供了一个鲜活的案例，它让我们深刻认识到，在科技飞速发展的今天，无论是企业还是国家，都需要具备敏锐的市场洞察力、坚定的技术研发决心和灵活的战略调整能力，才能在激烈的全球竞争中脱颖而出，实现可持续发展。让我们共同期待，在未来的芯片产业舞台上，能够涌现出更多像SK海力士这样逆境崛起的传奇故事，共同推动全球科技产业迈向新的高峰。
文本来源@白呀白Talk的视频内容
来源：贾老师说的不假
