摘要:据Eenewseurope 12月22日报道,X-FAB宣布对其碳化硅(SiC)加工工艺进行重大升级。此次改进旨在优化生产效率和性能,为功率半导体市场提供更具竞争力的解决方案。
据Eenewseurope 12月22日报道,X-FAB宣布对其碳化硅(SiC)加工工艺进行重大升级。此次改进旨在优化生产效率和性能,为功率半导体市场提供更具竞争力的解决方案。
X-FAB在德克萨斯州卢伯克为晶圆代工客户改进了碳化硅 (SiC) 工艺,这家比利时晶圆代工厂提高了光刻、沉积和蚀刻工具的能力,并对 XSICM03 下一代 XbloX 平台的工艺流程进行了重大调整。新工艺将单元间距缩小了25%,使每个晶片的芯片数量增加了 30%,并降低了导通电阻,从而在不影响栅极氧化物可靠性的情况下减少了损耗。
XbloX 是 X-FAB 精简的 SiC MOSFET 业务流程和技术平台,集成了用于平面 MOSFET 生产的合格 SiC 工艺开发模块和模块。该公司是美国客户 SiC 技术的主要供应商,将成熟的工艺模块与强大的设计规则、控制计划和 FMEAs 相结合,可以加快原型开发速度,简化设计评估,缩短产品上市时间。
这种方法为客户带来了竞争优势,使设计人员能够创建多样化的产品组合,同时实现比传统开发方法快 9 个月的生产时间。
(编译:聆丰)
来源:邮电设计技术
免责声明:本站系转载,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。如涉及作品内容、版权和其它问题,请在30日内与本站联系,我们将在第一时间删除内容!