比利时X-FAB对碳化硅加工工艺进行重大升级

B站影视 2024-12-23 09:43 1

摘要:据Eenewseurope 12月22日报道,X-FAB宣布对其碳化硅(SiC)加工工艺进行重大升级。此次改进旨在优化生产效率和性能,为功率半导体市场提供更具竞争力的解决方案。

据Eenewseurope 12月22日报道,X-FAB宣布对其碳化硅(SiC)加工工艺进行重大升级。此次改进旨在优化生产效率和性能,为功率半导体市场提供更具竞争力的解决方案。

X-FAB在德克萨斯州卢伯克为晶圆代工客户改进了碳化硅 (SiC) 工艺,这家比利时晶圆代工厂提高了光刻、沉积和蚀刻工具的能力,并对 XSICM03 下一代 XbloX 平台的工艺流程进行了重大调整。新工艺将单元间距缩小了25%,使每个晶片的芯片数量增加了 30%,并降低了导通电阻,从而在不影响栅极氧化物可靠性的情况下减少了损耗。

XbloX 是 X-FAB 精简的 SiC MOSFET 业务流程和技术平台,集成了用于平面 MOSFET 生产的合格 SiC 工艺开发模块和模块。该公司是美国客户 SiC 技术的主要供应商,将成熟的工艺模块与强大的设计规则、控制计划和 FMEAs 相结合,可以加快原型开发速度,简化设计评估,缩短产品上市时间。

这种方法为客户带来了竞争优势,使设计人员能够创建多样化的产品组合,同时实现比传统开发方法快 9 个月的生产时间。

(编译:聆丰)

来源:邮电设计技术

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