摘要：国家知识产权局信息显示，杭州万高科技股份有限公司申请一项名为“一种基于eDRAM的高密度近存计算与存内计算混合架构及计算方法”的专利，公开号CN 119152906 A，申请日期为2024年11月。

金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，杭州万高科技股份有限公司申请一项名为“一种基于eDRAM的高密度近存计算与存内计算混合架构及计算方法”的专利，公开号CN 119152906 A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种基于eDRAM的高密度近存计算与存内计算混合架构及计算方法，其中所述架构包括：eDRAM近存与存算混合阵列、灵敏放大器、ADC电路、存算结果寄存器、特征值更新驱动电路、控制器、行译码器和列译码器；所述计算方法采用上架构进行计算。本发明通过结合近存与存内计算结构，充分配合两者的特点对阵列结构与基本单元进行优化设计并互补两种架构单独的不足，同时采用了深沟槽电容替代平面电容，具有低功耗、低延时、高计算效率和高密度等优点，有效克服传统近存电路带宽限制和存内计算电路工艺限制，可应用于深度学习加速器计算核，特别适用于对集成度和功耗性能有较高要求的边缘端硬件部署。

来源：金融界