摘要：据悉，自2023年6月成功量产238层NAND闪存以来，SK海力士持续引领存储技术的前沿发展。此次推出的321层NAND闪存，不仅标志着技术层面的飞跃，更是全球首次实现超过300层堆叠的NAND闪存大规模生产。

【ITBEAR】SK海力士近期宣布了一项重大技术突破，正式量产全球首款具备321层堆叠技术的1TB TLC 4D NAND闪存。

据悉，自2023年6月成功量产238层NAND闪存以来，SK海力士持续引领存储技术的前沿发展。此次推出的321层NAND闪存，不仅标志着技术层面的飞跃，更是全球首次实现超过300层堆叠的NAND闪存大规模生产。

在生产策略上，SK海力士巧妙地沿用了238层产品的开发平台，此举有效减少了工艺转换带来的潜在影响，并显著提升了生产效率达59%。这一决策不仅确保了技术稳定性，还加速了新产品的市场投放进程。

与上一代产品相比，321层NAND闪存展现了更为出色的性能。数据传输速度提升了12%，读取性能增强了13%，同时数据读取能效也实现了超过10%的增长。这些提升对于满足当前及未来市场对高效能存储解决方案的需求至关重要。

SK海力士NAND开发团队的负责人Jungdal Choi对此表示：“此次技术的革新，进一步巩固了我们在AI存储市场的领先地位，特别是在AI数据中心和终端设备AI应用所需的SSD领域。”

来源：ITBear科技资讯