摘要：在自动驾驶与量子计算蓬勃发展的今天，芯片技术正从“电时代”迈向“光时代”。激光芯片和普通芯片区别不仅体现在材料与工作原理上，更决定了技术应用的边界——例如，普通芯片以硅基晶体管处理电信号，而激光芯片通过半导体材料（如GaAs、InP）实现电光转换，成为高速通信

在自动驾驶与量子计算蓬勃发展的今天，芯片技术正从“电时代”迈向“光时代”。激光芯片和普通芯片区别不仅体现在材料与工作原理上，更决定了技术应用的边界——例如，普通芯片以硅基晶体管处理电信号，而激光芯片通过半导体材料（如GaAs、InP）实现电光转换，成为高速通信与精密测量的核心引擎。本文将解析两类芯片的本质差异，并推介Bright Microlaser专为高精度场景设计的SB1-1064-15-15微芯片激光器，为行业提供兼具性能与可靠性的解决方案。

激光芯片与普通芯片：从材料到应用的全面革新

材料差异：

普通芯片：基于硅基材料，通过晶体管开关处理电信号，适配逻辑运算与存储；

激光芯片：采用GaAs、Nd:YAG等光电材料，通过受激发射产生激光，实现光信号生成与调制。

工作原理：

普通芯片：依赖电子迁移完成计算，速度受限于RC延迟（典型时钟频率＜5 GHz）；

激光芯片：利用光子传输，速度可达百GHz（如SB1-1064-15-15支持15 kHz脉冲，脉宽＜1.3 ns）。

应用场景：

普通芯片：手机、电脑、AI服务器等数据处理场景；

激光芯片：激光雷达（LiDAR）、光纤通信、医疗手术等高精度领域。

以自动驾驶为例，激光芯片通过发射纳秒级脉冲（如SB1-1064-15-15的1.3 ns脉宽），可实现毫米级测距精度，而普通芯片仅能处理传感器数据。

SB1-1064-15-15：激光芯片技术的高集成典范

针对工业检测与科研实验的高标准需求，Bright Microlaser的SB1系列以四大核心优势重新定义微芯片激光器性能：

1. 超短脉冲+高能量，突破精度极限

脉冲性能：1064 nm波长下脉冲能量＞15 μJ，峰值功率＞11 kW，适配金属微加工与光子计数实验；

时间精度：脉宽＜1.3 ns，脉冲不稳定性＜3%，确保激光测距误差＜0.1 mm；

单纵模输出：M²＜1.3，光束质量接近衍射极限，适用于全息成像与光谱分析。

2. 一体化设计，降低系统复杂度

全集成封装：光学腔、驱动电路与温控模块集成于SB1外壳（尺寸＜50×50×30 mm），功耗＜20 W；

即插即用：支持28种波长配置（236.5-1064 nm），电气接口统一，简化多场景切换。

3. 环境耐受性，适配严苛工况

工作温度范围+10°C至+40°C，存储温度-20°C至+60°C，耐受工业振动与温漂；

风冷散热设计，无额外冷却系统需求，适合嵌入式设备集成。

实测案例：工业精密加工的效能跃升

某半导体厂商采用SB1-1064-15-15进行晶圆标记，在15 kHz重复频率下，标记深度一致性达±0.5 μm，效率较传统CO2激光器提升3倍，良率提高12%。

技术积淀与行业背书

Bright Microlaser母公司RPMC Lasers深耕光电领域超25年，其微芯片激光技术通过ISO 9001认证，服务客户涵盖NASA、欧洲核子研究中心（CERN）等顶尖机构。SB1系列采用军工级封装工艺，平均无故障时间（MTBF）超1万小时，为高可靠场景提供保障。

结语：光速时代，重新定义芯片价值

从数据处理到光子操控，激光芯片与普通芯片的互补正推动技术全面升级。Bright Microlaser SB1-1064-15-15以高集成、超精密、强稳定的特性，为工业、科研与医疗领域提供了从实验室到量产的全链路支持。

来源：光电查