摘要：半导体测试环节贯穿整个制造流程，是保障芯片质量的核心技术屏障。随着半导体产业遵循摩尔定律持续演进，当前5nm工艺节点晶体管密度已达91.2MTr/mm²（以英特尔4为例），相较45nm工艺提升超8倍。这种指数级的微缩化趋势驱动工艺步骤数量激增——成熟制程（45

半导体培训17：FT测试

撰写：李星

半导体测试环节贯穿整个制造流程，是保障芯片质量的核心技术屏障。随着半导体产业遵循摩尔定律持续演进，当前5nm工艺节点晶体管密度已达91.2MTr/mm²（以英特尔4为例），相较45nm工艺提升超8倍。这种指数级的微缩化趋势驱动工艺步骤数量激增——成熟制程（45nm）约需430道工序，而先进制程（5nm）已突破1250道工序，工艺复杂度提升达3倍。在三维结构创新方面，GAAFET全环栅晶体管需实现5nm以下纳米线堆叠，MRAM磁性隧道结层厚需控制在0.2-5.0nm级，这些技术突破使得检测设备在全流程中的重要性显著提升。

从技术体系来看，半导体检测可分为前道量检测与后道测试两大系统：

前道量检测系统：涵盖关键尺寸量测（CD-OCD/CD-SEM）、薄膜厚度检测、图形缺陷识别等七大核心模块，主要应用于晶圆制造环节。通过光学检测（如KLA的Archer系列）与电子束检测（如应用材料的Enlight系统）等先进技术，实现对工艺参数（线宽公差±0.3nm）和表面缺陷（最小检测尺寸

后道测试系统：由测试机（Test System）、探针台（Prober）和分选机（Handler）构成黄金三角架构 。其中测试机需支持高达128个并行测试通道，探针台定位精度达±0.5μm，分选机处理速度突破3000 UPH，共同确保芯片在CP（晶圆测试）和FT（终测）环节达到99.99%的测试良率

最终测试(FinalTest，简称FT)作为芯片出厂前的最后一道拦截，对保证产品质量和性能具有重要意义。本报告将深入探讨FT测试的目的、内容、流程及其在半导体制造中的应用，为读者提供全面的FT测试知识。

FT测试的基本概念

FT测试的定义

最终测试(FT)是对封装好的芯片进行的最终测试阶段，其目的是确保芯片在实际应用中的性能和可靠性。FT测试是在晶圆测试(CP测试)和晶圆验收测试(WAT测试)之后进行的，是芯片制造过程中的最后环节。

FT测试的对象与目的

FT测试的对象是封装后的芯片，其主要目的包括：

筛选芯片，决定其是否可用作产品卖给客户

验证芯片是否符合规格要求的所有功能

检查封装厂的制造工艺水平

通过提取数据帮助客户发现问题，提高成品芯片的产量

与CP测试不同，FT测试是在封装完成后进行的，只有通过CP测试的芯片才会进行封装并接受FT测试。

FT测试的内容与方法

功能测试

功能测试是FT测试的核心部分，旨在验证芯片是否能够执行其设计规格中规定的所有功能。这包括对芯片的数字逻辑功能、模拟信号处理能力以及混合信号电路性能的全面测试。

功耗测试

功耗测试是FT测试的重要组成部分，用于测量芯片在各种工作条件下的功耗。这项测试有助于确保芯片在实际应用中的能效表现符合设计要求，避免出现功耗过大的问题。

速度测试

速度测试用于评估芯片的运行速度，确保其达到设计要求的性能指标。这包括对芯片时序特性的测试，以验证其是否能够在规定的时钟频率下稳定工作。

高温/低温老化测试

环境测试是FT测试的重要环节，包括在模拟实际使用条件下进行的测试，如高温、低温、湿度等环境因素对芯片性能的影响。其中，高温/低温老化测试尤为重要：

高温测试：通常在85°C或更高的温度下进行，模拟芯片在高温环境中的工作状态

低温测试：通常在-40°C或更低的温度下进行，评估芯片在低温环境中的性能表现

老化测试：通过在加速应用条件下对芯片进行长时间运行，模拟其在实际使用中的老化过程，帮助预测芯片的寿命和可靠性

应用特定性能测试

根据芯片的最终应用，FT测试还包括一系列应用特定的性能测试。这些测试确保芯片在其目标应用环境中能够达到预期的性能指标。例如，对于存储芯片，可能需要进行特定的存储测试；对于处理器，可能需要进行特定的计算性能测试。

开路/短路测试(OS测试)

OS测试是FT测试的基本组成部分，用于检测芯片的引脚是否存在开路(Open)或短路(Short)问题。这种测试对于确保芯片的电气连接完整性至关重要，任何引脚的开路或短路都可能导致芯片功能失效。

FT测试的流程与设备

测试流程

FT测试的典型流程包括以下步骤：

测试准备：准备好测试设备和测试程序

芯片装载：将封装好的芯片装载到测试设备中

测试执行：按照预设的测试程序执行各种测试项目

结果记录：记录测试结果

结果分析：分析测试结果，判断芯片是否合格

分类处理：根据测试结果对芯片进行分类处理

测试设备

FT测试通常使用专业的测试机(Tester)进行。测试机是后道测试设备中最大的细分领域，在FT环节有广泛应用。测试机在后道设备中的价值量占比最大，接近70%。

根据芯片类型和测试需求的不同，测试机可以分为不同类型：

模拟/数模混合测试机：相对价值量小，开发难度小，目前已初步实现国产替代

SoC及存储测试机：价值量较高，技术难度大，国产替代空间仍较大，目前主要被爱德万和泰瑞达垄断

测试程序

FT测试程序是根据芯片的具体规格和应用需求设计的。由于芯片种类的差异，芯片封装流程中的测试节点也不尽相同，测试方案与测试程序都有所差异，因此成品测试更偏向于为客户提供定制化的服务。

FT测试在半导体制造中的作用

保证芯片良率

FT测试在保证芯片良率方面发挥着重要作用。通过严格的测试，FT测试可以筛选出不符合规格的芯片，确保最终交付给客户的芯片符合质量标准。良率是衡量半导体制造过程质量和效率的重要指标，而FT测试是确定最终良率的关键步骤。

控制生产成本

FT测试有助于控制半导体生产成本。通过在封装后进行严格测试，FT测试可以确保只有合格的芯片才会进入后续的生产环节，避免了将不合格产品继续加工所造成的浪费。此外，FT测试还可以通过及时发现问题，减少生产过程中的错误和返工，从而降低整体生产成本。

指导IC设计和生产工艺改进

FT测试的结果可以为IC设计和生产工艺的改进提供重要参考。通过分析FT测试数据，可以发现设计中的缺陷或制造过程中的问题，从而指导IC设计的优化和生产工艺的改进。这种反馈机制有助于提高芯片的设计质量和制造水平。

作为产品质量控制的最后一道防线

FT测试是产品质量控制的最后一道防线。在芯片出厂前，FT测试对封装好的每颗芯片进行严格的测试，确保其在实际使用条件下的性能和可靠性。这不仅有助于保护制造商的声誉，也有助于提高客户满意度和市场竞争力。

FT测试与CP测试的比较

测试对象与目的

CP测试(CircuitProbing、ChipProbing)和FT测试在测试对象和目的上存在明显差异：

测试对象：

CP测试的对象是整片wafer中的每一个Die

FT测试的对象是封装好的芯片

测试目的：

CP测试的目的是确保整片wafer中的每一个Die都能基本满足器件的特征或者设计规格书

FT测试的目的是确保芯片在实际应用中的性能和可靠性

测试内容

CP测试和FT测试在测试内容上也存在差异：

CP测试内容：

电压、电流、时序和功能的验证

如vt（阈值电压），Rdson（导通电阻），BVdss（源漏击穿电压），Igss（栅源漏电流），Idss（漏源漏电流）等基本器件参数的测试

FT测试内容：

应用特定的性能测试

环境测试、老化测试

数字和模拟电路测试

功能测试、功耗测试、速度测试

测试顺序

在半导体制造过程中，CP测试和FT测试的顺序是：

先进行CP测试，只有通过CP测试的Die才会进行封装

然后对封装好的芯片进行FT测试

这种顺序确保了只有基本合格的芯片才会进入封装和最终测试环节，从而优化了资源利用和生产成本。

FT测试面临的挑战与发展趋势

面临的挑战

FT测试在实际应用中面临多种挑战：

测试时间：随着芯片复杂度的增加，FT测试时间也在延长，这可能导致生产效率下降

测试成本：FT测试设备和测试程序的成本较高，增加了整体生产成本

测试覆盖率：如何在有限的测试时间内实现足够的测试覆盖率是一个挑战

测试精度：随着芯片尺寸的缩小和工作频率的提高，测试精度的要求也越来越高

发展趋势

为了应对这些挑战，FT测试正在向以下几个方向发展：

自动化测试：利用人工智能和机器学习技术，提高测试的自动化水平和效率

并行测试：通过并行测试技术，缩短测试时间，提高生产效率

精准测试：开发更精准的测试方法和设备，提高测试质量和可靠性

定制化测试：根据不同芯片的特点和应用需求，提供更加定制化的测试服务

来源：晓晨论科技