摘要：国家知识产权局信息显示，上海新昇半导体科技有限公司申请一项名为“硅片及硅片的形成方法”的专利，公开号CN 119082865 A，申请日期为2024年6月。

金融界2024年12月7日消息，国家知识产权局信息显示，上海新昇半导体科技有限公司申请一项名为“硅片及硅片的形成方法”的专利，公开号CN 119082865 A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本发明提供硅片及硅片的形成方法，硅片用于半导体器件大规模集成电路和/或同质及异质半导体材料外延生长，通过在硅片的边缘区域形成一BMD圈，BMD圈位于滑移缺陷内侧，BMD圈能够有效地钉扎滑移缺陷的移动，从而阻挡硅片边缘的滑移缺陷的沿硅片边缘至硅片中心的方向传播。BMD对滑移缺陷的钉扎效果与BMD密度及大小有关，进一步的，BMD的密度大于E+8ea/cm3，BMD中的氧沉淀的直径为20nm至200nm时，滑移缺陷被高密度BMD阻挡，减弱甚至完全没有侵入硅片内部。

来源：金融界