摘要：现在的国产芯片在制程工艺上比美国芯片落后几纳米，像中芯国际的制程就能实现等效7纳米的工艺，而美国芯片得益于更先进的工艺，已经可以生产3纳米芯片了。

现在的国产芯片在制程工艺上比美国芯片落后几纳米，像中芯国际的制程就能实现等效7纳米的工艺，而美国芯片得益于更先进的工艺，已经可以生产3纳米芯片了。

虽然看起来只有4纳米的差距，但这4纳米恐怕短期内难以赶上，因为晶圆工艺的瓶颈在那里，这么几纳米可能意味着代际的鸿沟。

不过在英伟达CEO黄仁勋看来，虽然中国芯片比美国芯片落后几纳米，但中国芯片产业只落后美国几纳秒！

最近在一档科技播客节目中，黄仁勋表示中国芯片仅落后美国“几纳秒”。

黄仁勋直言不讳地指出，有人认为中国造不出人工智能芯片或没有制造能力，这种说法“非常荒谬”。

他更是将中国芯片产业描述为“一个充满活力、创业精神、高科技且现代化的产业”。

在黄仁勋看来，中国拥有庞大的人才储备、充满活力的工作文化以及各省之间的内部竞争环境，这些因素共同推动着中国芯片产业的快速发展。

但黄仁勋口中的“几纳秒”，或许不像我们认为的那样听起来微不足道，放在芯片领域，这短暂的一瞬可能意味着代际的鸿沟。

晶体管开关速度是衡量芯片性能的核心指标之一，台积电3纳米工艺的栅极延迟约为0.3纳秒，而中芯国际N+1工艺（等效7纳米）约为0.5纳秒。

虽然这样看只有0.2纳秒的差距，实际在芯片产品上，对应的却是2-3代制程的代差，而在AI算力方面的差距更为明显。

比如华为昇腾910B芯片与英伟达H100的算力对比，就十分直观。前者INT8算力256TOPS，而后者达到了4000TOPS，这种差距主要来自制造工艺和芯片设计协同效应。

不过正如黄仁勋说的那样，中国芯片产业与美国只有几纳秒的差距，而不是单块AI芯片在工艺、算力上只有几纳秒的差距，说的是整个产业链的差距。

事实上面对技术差距，中国芯片产业正在探索多条突围路径，展现出独特的“中国式创新”。

比如中国更擅长用规模换时间，快速建成规模化的数据中心，获取更高算力，目前中国已建成420万标准机架的数据中心规模，相当于每年新增十个AlphaGo系统的算力。

还有华为也给出了自己的方案，采用“物理不足数学补”的集群优化方案，使昇腾芯片价格压至英伟达40%。

中国的这种路线，可以在一定程度上弥补单点性能的不足。

另外，中国还在发挥能源与算力转化的区位优势，比如内蒙古的风电、四川的水电，未来都有望成为重构算力经济模型的基础。

很显然，黄仁勋的“几纳秒”言论，表面看是一种技术上的谦逊，实则是对中美芯片实力对比的清醒认知。

尽管现阶段中国芯片产业在纸面数据上与美国还有很大的差距，但芯片产业的竞争本就是一场创新生态的马拉松，短期是看制程差距，中期是拼产业链韧性，长期则是比基础科研投入。

黄仁勋明显看清了中国芯片产业的发展潜力，所以才会说出这样一句话，因为黄仁勋急了，因为没有人能够承担得起闭门造车的代价。

要知道对于英伟达而言，中国市场尤为重要。

黄仁勋此前预估，未来两到三年，中国的人工智能市场规模可能达到500亿美元，面对这样一块“大蛋糕”，黄仁勋自然不愿缺席，也不敢缺席。

为了在符合美国出口管制的同时保住中国市场，英伟达煞费苦心地为中国市场专门设计“减配版”AI芯片，例如H20芯片。

尽管H20芯片的性能远不如英伟达的主流产品，但他们仍坚持推进，甚至一度被禁售后，黄仁勋也在寻求新的途径重返中国市场。

所以黄仁勋的一系列动作，其实都是在呼吁美国放宽限制，包括这次“几纳秒”比喻，实际上也是在对美国政策制定者的一种巧妙游说，试图为英伟达争取一个更有利的商业空间！

来源：王石头