摘要：业内估计，双十一期间 DRAM 模组整体销量与 2023 年同期相比下降约 20%。单位销量下降 16%，平均售价下降约 9%。在产品价格贡献方面，2024年双十一期间，SSD的销售表现已超越DRAM模组。今年双十一，长江存储旗下的致态品牌表现亮眼，在京东实现

国内市场DRAM现货价格在整个11月份持续走低，尤其是DDR4受到的冲击尤为严重。相比之下，NAND闪存价格显示出稳定迹象。

业内估计，双十一期间 DRAM 模组整体销量与 2023 年同期相比下降约 20%。单位销量下降 16%，平均售价下降约 9%。在产品价格贡献方面，2024年双十一期间，SSD的销售表现已超越DRAM模组。今年双十一，长江存储旗下的致态品牌表现亮眼，在京东实现了SSD品类交易总额（GMV）和销量的双料第一，超过了三星。

进入12月，随着国内促销活动结束以及海外圣诞节备货工作的收尾，存储现货市场进入相对平稳期。采购需求的降低，让现货价格随之平稳，市场整体态势无显著变化。市场表示，经过2～3个季度的库存调整，库存压力已显著缓解。预计制造商更严格的供应控制将逐渐恢复补货需求。也有业内人士表示，近期有部分原厂控货惜售，令部分低价资源出现回涨现象。

DDR4价格大跌

闪存市场数据显示，在过去六个月中，随着分销渠道的连续萎缩，SSD和DRAM模块的价格下降了20%以上。在连续两个季度价格下降后，11月的现货市场仍然出现波动，过剩的供应和疲软的补货需求将DRAM价格推至低于去年同期的水平。

11月的现货市场数据显示，DDR4价格大幅下跌，4GB、8GB和16GB等容量的月度跌幅在8%至10%之间。自第四季度开始以来，价格继续逐步下降。DDR4 16GB 3200的价格从10月初的2.92美元下降到11月底的2.40美元，累计下降了17.8%。同样，DDR4 4GB eTT的价格在两个月内下降了16%。相比之下，DDR5的价格保持得更为稳定，同期仅下降了中个位数。

从国内消费电子市场来看，DDR4内存自2014年问世以来，凭借其稳定的性能、广泛的兼容性和相对亲民的价格，迅速成为了市场上的主流选择。其工作电压为1.2V，数据传输率可达1600-3200 MT/s，最大DIMM容量可达64GB，这些特性使得DDR4在性能、能效和成本之间取得了良好的平衡。

在当前DDR4内存价格普遍杀价的情况下，其性价比优势更加凸显。对于大多数日常办公、游戏娱乐和常规多任务处理的用户来说，DDR4内存已经完全能够满足需求，且无需承担高昂的升级成本。

DDR3、DDR4等成熟产品价格走势与消费性产品终端销售、供应链库存去化更直接相关。从当前的市场售价来看，DDR4内存的价格已经降至历史低位，市场分析，若消费性市场需求好转，2025年下半年成熟型存储器行情，或有翻转可能，但上半年应仍呈现供过于求的状况。

在国际厂商瞄准DDR5与HBM的同时，DDR4在中国大陆市场还有不小的发展空间。

DDR5保持韧性

DDR5内存作为新一代内存技术，带来了诸多改进。其工作电压降低至1.1V，数据传输率提升至3200-6400 MT/s，最大DIMM容量更是高达128GB。这些提升使得DDR5在带宽、功耗和内存容量方面均优于DDR4，为处理大型数据集、运行复杂软件和进行多任务处理提供了更高的效率。

但DDR5内存仍没有迎来全面普及时代。首先，DDR5内存的价格虽然有所下降，但仍然明显高于DDR4。对于预算有限的普通玩家来说，升级成本可能是一个不小的负担。其次，DDR5内存需要兼容的主板和CPU支持，这意味着用户在进行升级时可能还需要更换其他硬件，进一步增加了升级成本和时间成本。

对于普通玩家来说，如果当前的DDR4内存已经能够满足使用需求，那么升级DDR5内存所带来的性能提升可能并不显著，而升级成本却相对较高。因此，从性价比的角度出发，普通玩家在当前阶段将DDR4内存升级为DDR5内存的必要性并不大。

从国内市场来看，大陆的DRAM制造商正通过推出极具性价比的产品来扩大市场份额，尤其是在DDR4内存的生产上，降幅达到惊人的50%。原本由三星、SK海力士和美光制造的相同规格DDR4芯片，转向中国制造商的产品，更具性价比。这种情况不仅使中国厂商获得了新的客户，还引发了外资企业的紧张气氛，韩企也开始调整生产策略，逐渐减少DDR4的产量，转向更高端的DDR5和HBM产品。

前三存储大厂在HBM3E的供应进度，将直接影响其对DDR5产品的供应能力，也将直接影响DDR5的价格走势。

传统DRAM平均售价，预估从第一季至第四季，皆呈现个位数字缓跌，其中，DDR5价格走势，较DDR4价格波动小。

HBM冲出重围

DDR4、DDR5虽然销售不甚乐观，但HBM在2024热火朝天，同时市场也预测HBM乐观的行情会持续到2025年。彭博预计到 2033 年，使用 HBM 的 AI 芯片预计将以每年 17% 的速度增长至超过 1900 万片，由于 AI 模型复杂性的增加，每片芯片的 HBM 需求也将以同样的速度增长。这一增长预计将使 HBM 总需求从 2023 年的 3.72 亿 GB 增加到 87 亿 GB，年增长率为 37%。

机构预测2025年DRAM平均售价年增率达17.0％；不过，DRAM平均售价上扬的动力，仅来自HBM产品。TrendForce预期，2025年DRAM产业产值年增36.3％至1,247.16亿美元、位元出货量年增24.7％、平均单价年增17.0％，三者皆呈双位数成长。HBM在DRAM市场的渗透率将逐步提升，预估2025年第四季度时，HBM渗透率约达10％，HBM3E颗粒预计占2025年HBM的85％。

就DRAM总体供需而言，2024年第四季到2025年第一季，呈现短暂供过于求后，至2025年第二季后，随着市场开始备货，将转为供不应求。DRAM前三大厂正在积极备战HBM市场，2025年将加快产线升级至1b纳米，主要供应HBM3E；2026 年将再往1c纳米迈进，主要供应最新产品HBM4。

全球云服务公司及大企业积极投资生成式AI将对DRAM的后续带来积极影响。三星、SK海力士及美光等三大DRAM大厂，纷纷将研发与生产重心转向HBM，也影响了传统DRAM产能及价格。

SK 海力士2025 年设置了AI芯片开发部门。新设的 AI 芯片开发部门整合了 DRAM、NAND 和解决方案的开发能力，着眼于下一代 AI 内存等未来技术，新提拔的管理者多来自 HBM 和 DRAM 等核心产品竞争力提升团队，凸显公司对未来增长的战略布局。SK海力士计划于2025年第一季度提供业界容量最大、层数最多的48GB、16层HBM产品样品。

三星计划在 2025 年初推出用于 HBM4 的 10 纳米规模的第六代 (1c) DRAM；在 2026 年推出相同规模的第七代 (1d) DRAM；在 2027 年推出其首款亚 10 纳米 (0a) DRAM。

供应链消息人士透露，在政府资源的大力支持下，工艺良率可能不是芯片制造商的首要担忧。在 HBM 发展的过渡阶段，随着晶圆制造的增加，HBM 和 DDR5 之间的 IC 工艺交叉可能会导致 DDR5 供应量出现快速波动。这一初始增长可能会深刻影响 DDR5 的消费应用市场。

最后，再来看一下NAND市场。

闪存市场数据显示，2024年第三季度全球NAND Flash市场规模达190.2亿美元，环比增长5.7%，同比增长93.9%。NAND价格从11月开始稳定，512GB晶圆价格从3.3美元小幅下降至3.2美元。然而，供应链内部人士指出，实际交易价格仍低于市场挂牌价格。11月初，消费级512GB NAND晶圆的议价约为2.9美元，由于激烈价格竞争，一些报价低至2.2-2.3美元。2024年早些时候的投机性期货交易导致了库存压力和利息成本，导致三个月后的大规模抛售。

在经历了几个动荡的季度后，只有2-3家主要的内存模块制造商保留了库存，大多数较小的制造商已经清空了他们的库存。

自11月中旬以来，上游制造商收紧了发货控制，使512GB晶圆的现货价格与官方价格保持一致。这一策略旨在稳定市场，因为年底发货逐渐减少，以保持价格稳定并支持改善的年终财务业绩。

市场份额来看，BS BusinessWorld 和 Blocks and Files 报告称，三星是 NAND 市场的领导者，占有 36.9% 的份额，而 SK Hynix 和 Solidigm 合计占有 22.1%。值得注意的是，SK海力士在全球NAND市场的份额已经从2020年的11.7%增长到2024年第二季度的22.5%。

NAND市场厂商们冲刺层竞争激烈，预计2025年NAND时代将进入400层，2027年将达到1000层。韩国业内专家认为，三星、SK海力士、美光等都将在2025年推出400层NAND产品。

SK海力士已开始量产321层1Tb TLC 3D NAND Flash产品。此前，NAND 产品的最高层数为238层，SK海力士成为第一家成功量产 300 层 NAND 产品的公司。新款 321 层 1Tb TLC 3D NAND 的数据传输速度和读取性能分别提升了 12% 和 13%，数据读取功率效率也提升了 10% 以上。

三星电子将于2026年推出超过400层的高容量、高散热的垂直键合（BV）NAND闪存，此举旨在增强其根本的技术竞争力，并抓住目前落后的企业级固态硬盘（eSSD）市场的机遇。

内存行业历来专注于通过规模经济扩大产能以降低成本。由于三星和 SK 海力士在 NAND 市场处于领先地位，并有 DRAM 业务的支持，这些公司可能会继续投资 NAND，尽管可能出现亏损，并利用 DRAM 的利润来增强其在 NAND 领域的技术竞争力。

来源：半导体产业纵横一点号