摘要：在说7nm芯片之前，我们先要搞清楚一个问题。XXnm到底是什么意思？专业的解释：所谓的XXnm指的是，CPU上形成的互补氧化物金属半导体场效应晶体管栅极的宽度，也被称为栅长。栅长越短，则可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶体管。在芯片晶体管集成度相当的情况下，使

在说7nm芯片之前，我们先要搞清楚一个问题。XXnm到底是什么意思？专业的解释：所谓的XXnm指的是，CPU上形成的互补氧化物金属半导体场效应晶体管栅极的宽度，也被称为栅长。栅长越短，则可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶体管。在芯片晶体管集成度相当的情况下，使用更先进的制造工艺，芯片的面积和功耗就越少，成本也越低。

但是这里有一个非常重要的问题：7nm是现有芯片硅材料的物理极限‌。在现有芯片材料的基础上，晶体管栅长一旦低于7nm，晶体管中的电子就很容易产生隧穿效应，这为芯片的制造带来巨大的挑战。

于是，在2019年的时候，台积电的技术研究副总经理黄汉森就表示过，XXnm其实与晶体管栅极已经不是绝对相关了。意思就是，现在的XXnm，更多的还是晶圆厂自己来定义的，并不是一定就指栅极宽度是XXnm。这是因为FinFET工艺（3nm开始有了GAA等新技术）被采用后，晶体管的结构发生重大变化，其整体尺寸是明显微缩了。这就使得我们能够在单位面积的晶圆上容纳更多数量的晶体管，所谓的XXnm其实完全是等效出来的。

所以现在的7nm、5nm就是个数字，它已经失去了原来的意义，更多的是芯片制造行业面向大众一种默认“营销”手段。所以，英特尔还是坚持“本心”：什么7nm、5nm，我们直接看单位面积的晶体管数量。

说完XXnm之后，我们再来看另一个制造业的“明星”——光刻机。光刻机分为DUV和EUV两种。

DUV设备以可以实现最高分辨率的是 ASML 193nm DUV光源、 NA 1.35的浸入式光刻机（immersion），设备型号一般是从NXT1950到 NXT2000。对于这一特征波长和NA的光刻机，能够实现的分辨率极限就是38nm，单次曝光形成的图形是不可能小于这个极限值的。它通过双重曝光技术(double exposure，DE) 和自对准双重成像技术 (self-aligned double patterning, SADP)，可以实现7nm制程工艺。

EUV光刻机得益于使用13.5nm EUV 作为光源，单次曝光的分辨率极限可以达到13nm，EUV 同样可以使用SADP 技术，实现更小的特征尺寸，使得芯片制程工艺向5nm/3nm 继续发展。

以上这些是这篇文章讨论的基础。

美国当地时间2024年12月2日，美国商务部发布了新的对华半导体出口管制措施。该措施进一步加严对半导体制造设备、存储芯片等物项的对华出口管制，并将华大九天、拓荆科技、凯世通等136家中国实体增列至出口管制实体清单。对此，12月3日，中国互联网协会、中国汽车工业协会、中国半导体行业协会、中国通信企业协会发布声明，呼吁或建议国内企业审慎选择采购美国芯片。

从产业链传递出的消息来看，台积电已经确认下周起切断大陆所有7nm及更先进制程AI芯片代工，甚至连部分AI初创公司都收到了邮件。业内认识分析，短期内美国及台积电打击的核心目标还是AI计算卡，尤其是技术难度和战略意义极大的AI训练芯片。小米玄戒团队的3nm/4nm AP、地平线的车端算力芯片、小鹏自研的车端推理芯片等暂时不在受影响行列；但不排除后续限制扩大可能会被波及。所以，有一个问题摆在了台面上：国产7nm芯片到底如何？

那些到现在还认为国产7nm芯片还是白手套代工的，不是没有基本常识就是别有用心了。需要指出的是，借助DUV光刻机，通过多重曝光技术，可以实现7nm芯片的量产，但是良品率不会太高。后续随着技术的成熟与完善，可能会有提升，但是7nm已经是极限。要想更进一步实现更先进的制程，就需要突破EUV光刻机。

中芯国际的N+1技术，现在看已经相对成熟。从公布的参数看，相较于14nm芯片工艺，中芯国际最新一代N+1芯片工艺的性能提高20%，功耗降低57%，逻辑面积减少63%，SoC面积减少55%。这些参数表明，中芯国际的N+1技术已实现等效7nm的芯片制造。目前两年已过，经过9000S、9010、9100等芯片的严格检验，国产7nm工艺不断成熟。

Mate60系列发布后不久，业内有人脉的就都知道麒麟9000s是哪家企业产的，甚至定位到了具体哪条产线。事实也是如此，美国针对华为Mate 60芯片的报告不仅列出了国内的先进制程代工产线，连卫星图和对应厂房都标注的很清晰。这些基础的情报，美国专业咨询机构也都清楚。所以，7nm芯片的自主生产制造的突破，应该是板上钉钉！尽管国产芯片在7nm技术上取得突破，但与台积电、三星、英特尔等国际巨头相比，量产能力和良品率方面仍然有着不小的差距。

行业分析机构TechInsights通过电子显微镜的扫描，发现华为的7nm芯片在晶体管密度上与台积电的7nm工艺存在差距，甚至与英特尔的10nm工艺相差无几。这说明，国产的7nm技术还有一定的进步空间。

从技术人员反映的信息来看，在国内买不到A卡和H卡的情况下，昇腾910B还是一个不错的选择。从性能测试看，它略低于A100，在某些场景表现甚至可以和A100打平。无卡可用之下，昇腾910B起码解决了燃眉之急。京东离职的技术人员透露，“JD+的大模型负载已经全面切换到910B，外界传说国内互联网大厂都采购了万卡910B集群，以我看到的数量应该是真的。910B除了支持鲲鹏底座之外也支持X86底座，国内互联网大厂采购的都是基于intel SPR平台的服务器，单机16卡。”

悲观人士则认为：在这轮制裁之前，台积电已经不给代工400T算力（A100一半水平）以上的国产芯片了，1000T算力的br100都被制裁了一年多了。就靠几个300T算力的芯片苟能苟几天啊？人家B200都2000T了，一片顶你八片……

如果单纯以当前的技术水平来衡量，差距确实存在。美国、日本和荷兰等国的技术封锁，让中国无法像台积电那样迅速跟上前沿工艺。但是，这并不意味着中国永远赶不上。

与台积电相比，台积电花了3年时间，从16nm到7nm，中间为10nm，三星从14纳米到7纳米花了五年时间中芯国际仅需两年时间即可实现这一成就，达成7nm。所以，我们还需要一些时间。

英伟达CEO黄仁勋近日在采访中直言，中国的芯片制造技术虽然表面上看似进步飞速，但在实际性能上提升有限，与国际顶尖水平，尤其是美国，还存在近十年的差距。这一评价虽显冷峻，却也反映出半导体行业的现实：这是一个需要长期积累与深厚底蕴的领域。

回望历史，ASML为研发EUV光刻机整整砥砺了20年，方才站上行业巅峰，而台积电的巨头地位亦非一蹴而就，而是数十年如一日的技术积累与精益求精的结果。相比之下，中国的半导体产业起步虽晚，却已展现出后来居上的潜力。从近几年的发展态势看，中国芯片设计的能力已逐渐逼近国际一流水准。下一步，中国唯有迎难而上，在芯片制造领域奋起直追，方能弥补这关键一环的差距。

十年，虽长却亦短。对于一个刚刚崛起的产业而言，十年是卧薪尝胆的历程；而对于一个志在问鼎科技高峰的国家，这十年将是书写历史的机遇。从零到一的突破，从跟随到引领，中国半导体产业必将在这场旷日持久的竞赛中，绘制属于自己的宏伟蓝图。

来源：小编也疯狂