摘要：市场谣传，SK海力士（SK Hynix）将应重要客户要求，于明（2025）年下半以3纳米生产定制化的第六代高带宽内存（HBM）“HBM4”，而非原定的5纳米制程。

市场谣传，SK海力士（SK Hynix）将应重要客户要求，于明（2025）年下半以3纳米生产定制化的第六代高带宽内存（HBM）“HBM4”，而非原定的5纳米制程。

《韩国经济新闻》3日引述半导体业界消息报道了上述消息。SK海力士已决定跟芯片代工龙头台积电合作开发HBM4，而主要出货的客户是英伟达（Nvidia Corp.）。

消息人士透露，SK海力士最快明年3月就会发布一款采3纳米基础裸晶（base die）的垂直堆栈HBM4原型。英伟达绘图处理器（GPU）目前是基于4纳米HBM。基础裸晶位于连接GPU的HBM底部，作用形同芯片头脑。堆栈在3纳米基础裸晶的HBM，性能有望较5纳米HBM4提升20-30%。

SK海力士运用3纳米裸晶生产HBM4，有望进一步扩大跟对手三星电子（Samsung Electronics Co.）的差距。三星计划运用旗下4纳米制程生产HBM4。

爆料人士@Jukanlosreve 3日通过社交平台X指出，SK海力士之所以改以台积电3纳米技术制造HBM4、是为了回应三星以4纳米生产HBM4的声明。结果，三星如今也考虑以3纳米生产HBM4，甚至可能选用台积电的3纳米技术。

SK Hynix has shifted its original plan to use TSMC's 5nm process for HBM4 and will now adopt TSMC's 3nm process instead.

This move is a response to Samsung's announcement of using a 4nm process for HBM4.

As a result, Samsung is also considering producing HBM4 dies using a 3nm…

— Jukanlosreve (@Jukanlosreve)December 3, 2024

来源：十轮网一点号