摘要：据了解，双方此次合作的核心是 FMC研发的 "DRAM+" 技术。该技术采用 10nm以下制程兼容的铪氧化物（HfO ）作为铁电层，替代传统锆钛酸铅 PZT 材料，存储容量从传统 FeRAM 的 4-8MB 提升至 Gb-GB 级别，同时保持断电不丢失数据的特

德国铁电存储器公司与Neumonda合作建立FeRAM生产线。

近日，德国铁电存储器公司（FMC）宣布与半导体企业 Neumonda 达成战略合作，将在德国德累斯顿建立新型非易失性存储芯片（FeRAM）生产线。

这是继2009年英飞凌、奇梦达德国DRAM工厂破产关停后，欧洲首次尝试重启存储芯片本土化生产。

据了解，双方此次合作的核心是 FMC研发的 "DRAM+" 技术。该技术采用 10nm以下制程兼容的铪氧化物（HfO ）作为铁电层，替代传统锆钛酸铅 PZT 材料，存储容量从传统 FeRAM 的 4-8MB 提升至 Gb-GB 级别，同时保持断电不丢失数据的特性。

FMC 首席执行官 Thomas Rueckes 解释称："铪氧化物的铁电效应将 DRAM 电容转变为非易失性存储单元，在保持高性能的同时实现低功耗，特别适合 AI 运算的持久内存需求。"

合作双方将依托 Neumonda 开发的 Rhinoe、Octopus、Raptor 三大测试系统，构建从研发到量产的完整链条。

Neumonda 首席执行官 Peter Poechmueller 表示："我们的终极目标是重建德国的存储芯片产业，本次合作迈出了关键一步。"

根据灼识咨询的资料，2024年全球半导体存储产品市场规模预计达到2059亿美元，预计到2028年，市场规模预计达到3193亿美元，CAGR为11.6%。

存储芯片的种类很多，按用途可分为主存储芯片和辅助存储芯片。按照断电后数据是否丢失，可分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片。易失性存储芯片常见的有DRAM和SRAM。非易失性存储芯片常见的是NAND闪存芯片和NOR闪存芯片。

不过，随着大规模人工智能模型和边缘智能领域对算力需求激增，市场开始倾向高性能存储解决方案。为了降低云端和边缘的功耗，兼具高性能和非易失性的新型存储器正在迎来市场快速增长的时代，例如铁电存储器FeRAM和ReRAM，以及磁存储器MRAM和电阻存储器ReRAM 。

其中，FeRAM铁电随机存取内存是一种随机存取存储器技术，类似于 SDRAM，但因为它使用了一层有铁电性的材料，取代原有的介电质，使得它也拥有非挥发性内存的功能。依靠铁电材料的独特性能来存储数据，FeRAM以超快的读写速度、出色的写入耐用性和低功耗而闻名。

FeRAM的读写速度为纳秒级，远高于NOR Flash。读写次数达到1014或1013次，从某种意义上相当于无限次。不过NOR Flash一般都有使用次数的限制。基于这些特性，FeRAM可用于实时写入、掉电保护等需要快速非易失性存储且读写次数较多的应用场景（如智能卡、计量设备、汽车中的事件数据记录器）。同时，FeRAM还可以替代SARM、SARM和MRAM。

除了FMC，目前FeRAM的主要供应商有两家富士通和英飞凌。

富士通FeRAM的研发始于1990年代。1996年，富士通与Ramtron合作推出了FeRAM，旨在替代EEPROM，实现针脚互换和软件兼容。EEPROM提供SPI、I2C和并口三种接口，FeRAM同样具备这些接口。在SPI方面，富士通产品线涵盖了多种选择，并进行了温度和频率的升级，从常规的30MHz提升至50MHz。此外，根据市场对小封装的需求，封装从传统的SOP8扩展至DFN 8。据了解，截止到目前，富士通，至少已向市场交付了44亿片FeRAM产品。

2003年，英飞凌与东芝合作开发出存储容量达到32Mb的FeRAM。英飞凌提供全面的串行和并行F-RAM非易失性存储器组合，其Excelon™ F-RAM是下一代产品，具有业界领先的低功耗特性。值得注意的是，Cypress之前是重要的 FeRAM厂商，但在2019年，英飞凌宣布将以每股23.85美元现金收购Cypress，交易价值约为90亿欧元。

此前，存储网络行业协会（SNIA）多位专家预估，21 世纪20年代末将会掀起持久内存变革浪潮，相信新技术将取代DRAM等成熟的存储技术，而FeRAM就是其中有力的候选者。

业内也有同样的观点，他们认为NOR Flash在下一代的时候工艺会进入瓶颈，未来可以替代NOR Flash的会是ReRAM。此前富士通总经理冯逸新曾表示：“ReRAM目前量产最大的容量是12Mb。现在要替代NOR Flash，ReRAM的容量需要达到16Mbit到1Gb。”相信这也是FMC与Neumonda合作FeRAM的重要原因。

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来源：半导体产业纵横一点号