冷冻FIB上新啦!
聚焦离子束扫描电子显微镜(Focused Ion Beam-Scanning Electron Microscope,简称FIB-SEM),通常被称为双束电镜(DB,Dual Beam),是一种集成了离子束加工和电子束成像的双束显微系统,具有高分辨率的成像能力
聚焦离子束扫描电子显微镜(Focused Ion Beam-Scanning Electron Microscope,简称FIB-SEM),通常被称为双束电镜(DB,Dual Beam),是一种集成了离子束加工和电子束成像的双束显微系统,具有高分辨率的成像能力
电子是一种带电粒子, 其能量越高, 波长越短。 当电子的能量为100eV时,其波长仅为0.12nm,因此,电子束曝光可以获得非常高的分辨率。
聚焦离子束显微镜(FIB-SEM)作为一种前沿的微观分析与加工工具,将聚焦离子束(FIB)和扫描电子显微镜(SEM)技术深度融合,兼具高分辨率成像和精密微加工能力,广泛应用于材料科学、电子工业、生命科学及纳米技术等领域,成为现代科研与工业不可或缺的重要设备。
3D-IC和小芯片的概念让整个行业都为之兴奋。这可能标志着IP行业发展的下一个阶段,但到目前为止,技术难题和成本问题限制了它的应用范围,只有少数几家公司在使用。即使在这些公司中,他们似乎也没有从异构集成或复用中获得明显的益处。
FIB-SEM系统通过聚焦离子束(FIB)和扫描电子显微镜(SEM)两种互补技术,实现了材料的高精度成像与加工。FIB技术利用电透镜将液态金属离子源产生的离子束加速并聚焦,作用于样品表面,可实现纳米级的铣削、沉积、注入和成像操作。这种技术能够对样品进行精确的微
国家知识产权局信息显示,浙江中科尚弘离子装备工程有限公司申请一项名为“用于离子注入机的引出抑制机构”的专利,公开号 CN 119275080 A,申请日期为2024年12月。
聚焦离子束(FIB)技术在半导体芯片制造领域扮演着至关重要的角色。它不仅能够进行精细的结构切割和线路修改,还能用于观察和制备透射电子显微镜(TEM)样品。
双束聚焦离子束显微镜的关键在于其双束技术,离子束(FIB)用于样品的精确切割和蚀刻,而电子束(SEM)则捕捉样品的高分辨率图像。SEM垂直安装,FIB则以一定角度倾斜安装,两者之间形成52°的夹角,这种设计使得SEM能够提供高达100万倍的放大倍数,有效弥补了
FIB,全名Focused Ion Beam,聚焦离子束,在芯片制造中十分重要。主要有四大功能:结构切割,线路修改,观察,TEM制样等。
聚焦离子束显微镜(FIB-SEM)是一种将聚焦离子束(FIB)与扫描电子显微镜(SEM)技术完美结合的综合性工具,具有高分辨率的成像能力和精确的微加工能力,成为现代科学研究与工业应用中的关键设备。