60秒制备高熵硒化物以抑制多硒化物穿梭助力长循环寿命钠离子电池
金属硒化物因其优异的电子导电性和高理论容量，在钠离子电池（SIBs）中作为替代阳极材料具有显著优势，然而其面临着严峻挑战，例如严重的多硒化钠穿梭效应和缓慢的钠离子扩散动力学。
硒化物
铟硒化物半导体的意外突破，成为新型通用存储器重要候选者
随机存取存储器（RAM）以其快速的数据读写速度而著称，在计算机运行过程中扮演着至关重要的角色，能够确保计算机系统的流畅运行和快速响应。然而，其致命的弱点在于需要大量的物理空间来构建存储单元，并且对持续的电源供应有着极高的依赖性。一旦电源中断，存储在 RAM 中