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姚威振:新型MOCVD反应器设计,促进GaN材料创新发展

近日,第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛(IFWS&SSLCHINA2024)在苏州召开。期间,“氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术”分会上,中国科学院半导体研究所副研究员、中科重仪半导体联合创始人姚威振做了”GaN基光电材料外延与

反应器 姚威 mocvd 2024-11-28 21:22  2