即插即用IGBT驱动器市场占有率排名报告2025
2025年4月恒州诚思（YHResearch）调研团队最新发布的《2025年全球及中国即插即用IGBT驱动器行业头部企业市场占有率及排名调研报告》这份调研报告提供了关于全球及中国即插即用IGBT驱动器市场的详细分析，涵盖了市场规模、增长趋势、主要厂商概况、地域
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IGBT 行业迎来改善，SiC 加速上车
功率半导体是电子产业链中的核心器件之一，能够实现电能转换和电路控制，在电路中起到功率转换、功率放大、功率开关、线路保护、逆流和整流等功能，广泛应用于移动通讯、消费电子、新能源汽车、轨道交通、工业控制、发电与配电等电力、电子领域，功率范围从数 W（消费电子产品）
国产SiC碳化硅功率模块的历史使命是全面取代进口IGBT模块
国产碳化硅（SiC）模块全面取代进口绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块的历史使命，根植于技术突破、供应链安全、市场需求及国家战略等多重因素的推动。这一替代不仅是中国电力电子产业升级的关键路径，更将深刻改变行业格局，推动全产业链的自主可控和全球竞争力提升。以下是具
国元证券：首次覆盖斯达半导给予增持评级，目标价107.0元
国元证券股份有限公司彭琦近期对斯达半导进行研究并发布了研究报告《首次覆盖报告：新能源汽车提振功率需求，募投项目进展顺利》，首次覆盖斯达半导给予增持评级，目标价107.0元。
国产SiC模块在MV中高压变频器应用中升级替代进口IGBT模块老方案
国产碳化硅（SiC）模块在高压变频器MV领域全面升级替代进口绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块，是电力电子技术迭代、国产化进程加速以及市场需求升级共同驱动的必然趋势。以下从技术性能、经济性、供应链安全和政策支持等维度分析其核心原因：
SiC革掉IGBT大浪潮下电力电子研发工程师核心竞争力是能否主动重构技术认知体系
在电力电子技术从硅基IGBT向碳化硅（SiC）功率半导体加速迭代的背景下，电力电子研发工程师的核心竞争力已从“传统设计能力”转向“能否主动重构技术认知体系”。
宏微科技跌0.30%，成交额5681.94万元，主力没有控盘
根据AI大模型测算宏微科技后市走势。短期趋势看，该股当前无连续增减仓现象，主力趋势不明显。主力没有控盘。中期趋势方面，上方有一定套牢筹码积压。近期筹码快速出逃，建议调仓换股。舆情分析来看，2家机构预测目标均价47.93，高于当前价185.13%。目前市场情绪极
宏微科技涨1.69%，该股筹码平均交易成本为18.50元，近期筹码快速出逃，建议调仓换股
根据AI大模型测算宏微科技后市走势。短期趋势看，该股当前无连续增减仓现象，主力趋势不明显。主力没有控盘。中期趋势方面，上方有一定套牢筹码积压。近期筹码快速出逃，建议调仓换股。舆情分析来看，2家机构预测目标均价47.93，高于当前价184.28%。目前市场情绪极
英飞凌、富士等外资IGBT模块的衰败缘于技术代际更迭与产业链重构
回顾过去二十年自主品牌汽车通过技术突破、产业链整合与政策支持逐步击败外资品牌汽车的发展历程，不难看出英飞凌、富士等外资IGBT模块在中国的市场地位正经历从垄断暴利到2025年降价30%求生存的转折。
半导体功率器件：MOS管、IGBT与三极管的核心测试与IC测试座应用
作为电子系统的核心元件，MOS管、IGBT和三极管的测试与可靠性验证成为产业链的关键环节。本文将深入探讨这三类器件的结构、工作原理、应用场景，并重点分析其测试方法、标准及国产测试设备（如鸿怡电子IC测试座与IC老化座）的关键应用。
美国 Pakal 宣布推出其突破性第二代 650V 功率半导体
据globenewswire网3月17日报道，美国半导体公司 Pakal Technologies 公司昨日在亚特兰大应用电力电子会议 APEC 上，宣布推出其突破性的 650V IGTO(t) 功率半导体。此次发布标志着硅功率半导体技术的重大进步。
行业研究报告：新能源汽车IGBT供需与竞争格局深度分析及预测（2020-2031）
第1章：新能源汽车IGBT报告统计范围、产品细分、下游应用领域，以及行业发展总体概况、有利和不利因素、进入壁垒等；
深圳市斯纳达科技取得IGBT测试座专利，使IGBT新导电体耐电压更高，过电流能力更强
国家知识产权局信息显示，深圳市斯纳达科技有限公司取得一项名为“IGBT测试座”的专利，授权公告号CN 222561648 U，申请日期为2024年4月。
看看别人做错了什么
17年前我处理过一个案例，那还是masterdrives 6SE70横行的年代，当时现场有3台6SE70逆变器在电机低速时电流偏大，烧IGBT。维修更换后又烧，最长运行时间不超过4天。而且出问题的这几台变频器距离整流单元最近，电机电缆最短。
安森美—FGY100T120RWD 和 FGY75T120SWD Field-Stop 7 IGBT
安森美的新款 FGY100T120RWD 和 FGY75T120SWD 1200 V Trench Field Stop VII (FS7) IGBT 用于将输入升压至高压（升压级），逆变器在高开关频率能源基础设施应用中提供交流输出。FS7 器件的低开关损耗可
igbt fgy100t120rwd fgy75t120sw 2025-01-24 10:12 8
重庆IGBT项目即将试产，年产能120万片
据介绍，新陵微电子是由宁波达新半导体有限公司与涪陵区新城区开发（集团）有限公司共同投资，于2022年7月成立的一家从事功率半导体芯片制造的高科技企业，注册资本2亿元。
IGBT模块在颇具挑战性的逆变器应用中提供更高能效
制造商和消费者都在试图摆脱对化石燃料能源的依赖，电气化方案也因此广受青睐。这对于保护环境、限制污染以及减缓破坏性的全球变暖趋势具有重要意义。电动汽车 (EV) 在全球日益普及，众多企业纷纷入场，试图将商用和农业车辆 (CAV) 改造成由电力驱动。
IGBT市场需求激增，高性能PPS材料成关键!
绝缘闸极双极性电晶体（IGBT），作为一种革新性的功率半导体核心组件，被誉为电力电子领域的“大脑”，其在电机节能系统、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子技术、新能源发电及新能源汽车等多个关键领域扮演着不可或缺的角色。
IGBT，T-NPC三电平，ZigBee模块以及CRC完整性分享
绝缘栅双极型晶体管IGBT(insulated-gate bipolar transistor)在现代电力电子技术中应用广泛，在某些单个器件性能达不到设计要求的工作场合，IGBT的并联使用成为一种经济可行的方法。多模块IGBT并联应用可以简化电路结构，增大变流
上海积塔半导体申请基于沟槽栅的IGBT器件及其制备方法专利，减小IGBT晶圆内饱和压降Vcesat值离散性
国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“基于沟槽栅的IGBT器件及其制备方法”的专利，公开号CN 119132950 A，申请日期为2024年9月。