想了解英诺赛科InnoGaN开关管PFC电路应用案例？看这篇文章就够了
英诺赛科是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业，采用IDM（Integrated DevICe Manufacture）全产业链模式，建立了全球首条产能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圆量产线，产品设计及性能处于国际先进水平。
赛科
无需东挑西选，年底高性价比内置英诺赛科InnoGaN百瓦快充推荐
英诺赛科是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全产业链模式，建立了全球首条产能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圆量产线，产品设计及性能处于国际先进水平。
英诺赛科首次挑战英飞凌专利，失败
2024年12月11日，美国专利商标局（USPTO）对中国氮化镓（GaN）龙头企业英诺赛克挑战德国芯片制造商英飞凌美国专利US9,899,481的无效挑战（多方复审IPR，IPR2024-00975），做出是否正式立案的裁决。
英诺赛科取得微型逆变器和光伏系统专利，能够提高系统效率，减少发热
国家知识产权局信息显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司取得一项名为“微型逆变器和光伏系统”的专利，授权公告号 CN 222052897 U，申请日期为 2024 年 4 月。