采用MOCVD原位脉冲铝原子辅助法生长的（001）β-Ga2O3外延层 近日，宽禁带半导体国家工程研究中心马晓华教授团队何云龙副教授、陆小力教授等人在Elsevier旗下权威期刊《Journal of Materiomics》发表题为“(001) β-Ga2O3 epitaxial layer grown with in-situ 脉冲 mocvd 原位脉冲 外延层 mocvd原位 2025-04-02 09:00 3