禹日成

PbTiO₃/LaAlO₃体系首次发现常规180°铁电与反相畴界互耦现象

铁电畴壁随机存储器为解决硅基存储技术遇到的“存储墙”问题提供了切实可行的方案。相较于其他二维界面,例如晶界、相界等,铁电畴壁可以被特定的电场创建、移动以及擦除,意味着基于铁电畴壁的存储器件将更加灵活可控。然而,常规铁电畴壁作为高能界面,会出现非预期的漂移甚至湮

apb 相畴 pbtio laalo 禹日成 2025-06-25 00:18  2