联和存储科技申请 NAND FLASH 坏块管理专利，降低坏块使用频率使 NAND FLASH 达生产标准降成本 金融界 2025 年 3 月 28 日消息，国家知识产权局信息显示，联和存储科技（江苏）有限公司申请一项名为“NAND FLASH 坏块的管理方法、系统、装置和闪存”的专利，公开号 CN 119690335 A，申请日期为 2024 年 11 月。 nand 专利 flash 坏块 flash坏块 2025-03-28 17:02 1
