普莱西娅

安普莱西娅等申请具有混和型接触的CMOS专利，形成界定第一、第二及第三电接面的混和型接触

国家知识产权局信息显示，安普莱西娅有限责任公司;X-FAB全球服务有限公司申请一项名为“具有混和型接触的CMOS”的专利，公开号CN120187069A，申请日期为2020年11月。